[發明專利]一種采用液態濾網提純多晶硅的方法

無效

• 申請號: 200910111525.1
• 申請日: 2009-04-17
• 公開（公告）號: CN101760779A
• 公開（公告）日: 2010-06-30
• 發明（設計）人: 鄭智雄;張偉娜;南毅;馬殿軍;程香;趙志躍;王致緒;戴文偉
• 申請（專利權）人: 南安市三晶陽光電力有限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B28/08
• 代理公司: 廈門市首創君合專利事務所有限公司 35204
• 代理人: 張松亭

1.一種采用液態濾網提純多晶硅的方法，其步驟為：

步驟1：將4-5N多晶硅重量份為70-85，濾網材料重量份為15-30；放入石英坩堝中；

步驟2：爐內抽真空，充入惰性氣體，停擴散泵使爐內保持微正壓；

步驟3：開控制電源，加熱器開始加熱，直至硅和濾網材料的混合物全部熔化，按照 比例不同，熔化溫度為1100℃-1400℃，保溫至少2h；

步驟4：開啟溫度控制，使坩堝中的硅以0.2℃-5℃/h逐步冷卻結晶；溫度冷卻至 900℃后快速降溫，降溫速度為10-20℃/h；

步驟5：硅結晶過程結束后，降溫，將硅鑄錠取出，切除上表面和四周的濾網材料及 雜質；

其中，所述的濾網材料為熔點低于硅熔點，且密度大于硅密度的金屬元素或合金或金 屬混合物。

2.如權利要求1所述的一種采用液態濾網提純多晶硅的方法，其特征在于：所述的濾網 材料為Ga或Sn或In，或這三種金屬的任意組合合金或金屬混合物。

3.如權利要求1所述的一種采用液態濾網提純多晶硅的方法，其特征在于：所述的濾網 材料中Sn＞90wt％，其它元素＜10wt％。

4.如權利要求3所述的一種采用液態濾網提純多晶硅的方法，其特征在于：所述的濾網 材料中的其它元素為Ga或In或Ga-In合金或Ga、In混合物。

5.如權利要求1所述的一種采用液態濾網提純多晶硅的方法，其特征在于：步驟3所述 的惰性氣體為氬氣或氦氣。

6.如權利要求1所述的一種采用液態濾網提純多晶硅的方法，其特征在于：步驟3所述 的保溫時間為2h-3h。

7.如權利要求1所述的一種采用液態濾網提純多晶硅的方法，其特征在于：步驟4所述 硅冷卻結晶過程中，坩堝內同一水平面各處的溫度差保持在0.2℃-0.5℃。