[發(fā)明專利]薄膜晶體管的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910111333.0
• 申請(qǐng)日: 2009-03-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101562154A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-10-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂雅茹;黃雋堯;陳明志;王裕芳;馬竣人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 福州華映視訊有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/84
• 分類號(hào): H01L21/84;H01L21/336;H01L21/3065;H01L21/311;G02F1/1368
• 代理公司: 福州元?jiǎng)?chuàng)專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 蔡學(xué)俊

1.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，其包括下列步驟：

提供一絕緣基板；

于該絕緣基板上形成一第一金屬層，以一第一微影蝕刻制程定義出一柵 極以及一儲(chǔ)存電容電極；

于具有該第一金屬層的該絕緣基板上依序形成一柵絕緣層、一主動(dòng)層、 一歐姆接觸層，再以一第二微影蝕刻制程定義出一島狀半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，并 同時(shí)蝕刻部分未被該島狀半導(dǎo)體覆蓋的該柵絕緣層；

于具有該島狀半導(dǎo)體的該絕緣基板上形成一第二金屬層，以一第三微影 蝕刻制程定義出一源極和一漏極，并使用該第二金屬層作為屏蔽蝕刻該 歐姆接觸層，以形成一薄膜晶體管背信道區(qū)；

于具有該源極和該漏極的該絕緣基板上形成一保護(hù)層，以一第四微影蝕 刻制程定義出一第一接觸孔，以暴露出部分該漏極；以及

于具有該接觸孔的該絕緣基板上形成一透明導(dǎo)電層，以一第五微影蝕刻 制程定義出一像素電極，使該像素電極覆蓋于該儲(chǔ)存電容電極上，并使 該像素電極與該漏極透過(guò)該第一接觸孔電氣連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于：其中以所 述的第三微影蝕刻制程定義出一輔助電極，并使該輔助電極與該儲(chǔ)存電 容電極相對(duì)向，以所述的第四微影蝕刻制程定義出一第二接觸孔，以暴 露出部分該輔助電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于：其中使該 像素電極與該輔助電極透過(guò)該第二接觸孔電氣連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于：其中未被 該島狀半導(dǎo)體覆蓋的該柵絕緣層厚度減少為被該島狀半導(dǎo)體覆蓋的該柵 絕緣層厚度的1/3～2/3。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于：其中該島 狀半導(dǎo)體與該柵絕緣層的蝕刻方式包括一干蝕刻制程。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于：其中該干 蝕刻制程的反應(yīng)氣體包括六氟化硫以及氯氣的混合氣體。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于：其中所述 的干蝕刻制程的六氟化硫氣體流量為120～300ml/min，所述的干蝕刻制 程的氯氣流量為100～800ml/min，干蝕刻的制程功率在3000～4200W 范圍內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于：其中該柵 絕緣層材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其任意組合。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于：其中該主 動(dòng)層材料包括非晶硅。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于：其中該歐姆接 觸層材料包括n⁺摻雜硅。