[發(fā)明專利]場發(fā)射陰極結構及使用該場發(fā)射陰極結構的顯示器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910110440.1
• 申請日: 2009-10-29
• 公開（公告）號: CN102054639A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發(fā)明（設計）人: 郝海燕;柳鵬;唐潔;魏洋;劉亮;姜開利;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司
• 主分類號: H01J1/304
• 分類號: H01J1/304;H01J29/04;H01J29/02;H01J31/12
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種場發(fā)射陰極結構，其包括：

一絕緣基板，該絕緣基板上形成有多個開孔，且該絕緣基板具有第一表面以及與該第一表面相對的第二表面；

多個陰極電極，該多個陰極電極平行設置于所述絕緣基板的第一表面；以及

多個電子發(fā)射單元，該多個電子發(fā)射單元分別與一開孔對應設置，且與所述陰極電極電連接；

其特征在于，所述電子發(fā)射單元包括至少一根碳納米管線狀結構，該碳納米管線狀結構的一部分固定于所述絕緣基板與所述陰極電極之間，一部分設置于開孔內。

2.如權利要求1所述的場發(fā)射陰極結構，其特征在于，所述碳納米管線狀結構包括一第一部分以及與該第一部分一端彎折相連的一第二部分，所述第一部分固定于所述絕緣基板與所述陰極電極之間，所述第二部分設置于開孔內，且由陰極電極向開孔的開口中心位置傾斜延伸。

3.如權利要求1所述的場發(fā)射陰極結構，其特征在于，所述碳納米管線狀結構的第二部分具有一尖端，且該尖端包括多個場發(fā)射尖端。

4.如權利要求3所述的場發(fā)射陰極結構，其特征在于，所述場發(fā)射尖端包括多個基本平行的碳納米管，該多個碳納米管之間通過范德華力緊密結合。

5.如權利要求3所述的場發(fā)射陰極結構，其特征在于，所述的場發(fā)射尖端為類圓錐形，且該場發(fā)射尖端的頂端突出有一單根碳納米管。

6.如權利要求1所述的場發(fā)射陰極結構，其特征在于，所述碳納米管線狀結構進一步包括一支撐線材。

7.如權利要求1所述的場發(fā)射陰極結構，其特征在于，所述支撐線材為金屬微絲。

8.如權利要求1所述的場發(fā)射陰極結構，其特征在于，進一步包括多個柵極電極，該多個柵極電極平行設置于所述絕緣基板的第二表面，且該多個柵極電極與所述多個陰極電極異面交叉設置。

9.如權利要求1所述的場發(fā)射陰極結構，其特征在于，所述電子發(fā)射單元包括兩個碳納米管線狀結構，每個碳納米管線狀結構的第一部分固定于絕緣基板與陰極電極之間，且每個碳納米管線狀結構的第二部分由陰極電極向開孔的開口中心位置傾斜延伸。

10.如權利要求9所述的場發(fā)射陰極結構，其特征在于，所述每個碳納米管線狀結構的第二部具有一尖端，且兩個碳納米管線狀結構的第二部分的尖端間隔設置。

11.如權利要求1所述的場發(fā)射陰極結構，其特征在于，所述部分電子發(fā)射單元的碳納米管線狀結構彎折形成一第一部分以及該第一部分相對兩端彎折相連的二第二部分，所述第一部分固定于所述絕緣基板與所述陰極電極之間，所述二第二部分分別設置于二相鄰的開孔內，且均由陰極電極向開孔的開口中心位置傾斜延伸。

12.一種顯示器，其包括：一陰極基板，一陽極基板，一場發(fā)射陰極結構以及一陽極結構，

其中，所述場發(fā)射陰極結構為如權利要求1至11中任一項所述的場發(fā)射陰極結構。