[發明專利]監控退火機臺溫度的方法有效
| 申請號： | 200910109901.3 | 申請日： | 2009-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN102054655A | 公開（公告）日： | 2011-05-11 |
| 發明（設計）人： | 周祖源;孟昭生;李健 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華半導體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/00 | 分類號： | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214000 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 監控 退火 機臺 溫度 方法 | ||
1.一種監控退火機臺溫度的方法，其特征在于包括下列步驟：
在晶圓片表面形成鈷金屬層，與鈷金屬保護層；
對所述晶圓片進行退火工藝，以形成鈷硅化物層；
對所述晶圓片進行刻蝕工藝，移除未反應形成鈷硅化物層的所述鈷金屬層后，測量所述鈷硅化物層的電阻值；
根據電阻值與溫度值的對應關系數據庫，得出監控溫度值，再根據該監控溫度值監控退火機臺溫度。
2.根據權利要求1所述的監控退火機臺溫度的方法，其特征在于：所述鈷金屬保護層覆蓋于所述鈷金屬層，以防止所述鈷金屬層被氧化。
3.根據權利要求1或2所述的監控退火機臺溫度的方法，其特征在于：所述鈷金屬保護層為鈦層或氮化鈦層或鈦層和氮化鈦層結合。
4.根據權利要求1所述的監控退火機臺溫度的方法，其特征在于：所述鈷金屬層厚度為60～150
5.根據權利要求3所述的監控退火機臺溫度的方法，其特征在于：所述鈦層厚度為100
6.根據權利要求3所述的監控退火機臺溫度的方法，其特征在于：所述氮化鈦層厚度為100～200
7.根據權利要求3所述的監控退火機臺溫度的方法，其特征在于：所述鈦層和氮化鈦層結合為所述鈦層覆蓋于所述氮化鈦層，所述氮化鈦層覆蓋于所述鈦層。
8.根據權利要求1所述的監控退火機臺溫度的方法，其特征在于：所述監控溫度值為550℃～610℃。
9.根據權利要求1所述的監控退火機臺溫度的方法，其特征在于：所述鈷金屬層采用化學氣相沉積或物理氣相沉積制得。
10.根據權利要求1所述的監控退火機臺溫度的方法，其特征在于：所述退火工藝采用500℃～900℃的退火溫度進行快速退火。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
