[發明專利]二維設計圖形曝光后形變效應補償方法有效
| 申請號： | 200910109778.5 | 申請日： | 2009-11-20 |
| 公開（公告）號： | CN102073210A | 公開（公告）日： | 2011-05-25 |
| 發明（設計）人： | 黃旭鑫;王瑾恒 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華半導體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/00 | 分類號： | G03F1/00 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214000 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 二維 設計 圖形 曝光 形變 效應 補償 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種二維設計圖形曝光后嚴重形變效應補償方法，包括如下步驟：
建立二維設計圖形，設定需要補償的關鍵尺寸邊緣放置誤差；
在設計圖形上先取一個點作為第一采樣點，然后以第一采樣點每隔預定間隔取采樣點對設計圖形進行分割；
用光學接近修正術進行修正和仿真，得出所述采樣點的邊緣放置誤差；
建立標準光學接近修正模型，選取所述采樣點中邊緣放置誤差最接近關鍵尺寸邊緣放置誤差的采樣點作為補償邊緣放置誤差的計算點。
2.根據權利要求1所述的二維設計圖形曝光后形變效應補償方法，其特征在于：所述第一采樣點為設計圖形邊的中心。
3.根據權利要求1所述的二維設計圖形曝光后形變效應補償方法，其特征在于：所述預定間隔為30nm。
4.根據權利要求1所述的二維設計圖形曝光后形變效應補償方法，其特征在于：所述選取的計算點位于設計圖形邊的1/4處。
5.根據權利要求1所述的二維設計圖形曝光后形變效應補償方法，其特征在于：所述二維設計圖形曝光后嚴重形變效應補償方法應用在0.13節點的光刻工藝中。
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G03 攝影術；電影術；利用了光波以外其他波的類似技術；電記錄術；全息攝影術
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
