[發明專利]多晶硅層的腐蝕方法有效
| 申請號： | 200910109775.1 | 申請日： | 2009-11-19 |
| 公開（公告）號： | CN102074473A | 公開（公告）日： | 2011-05-25 |
| 發明（設計）人： | 錢海鋒;黃偉南 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華半導體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/3065 | 分類號： | H01L21/3065;H01L21/28 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214000 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多晶 腐蝕 方法 | ||
1.一種多晶硅層的腐蝕方法，包括：
S502，干法腐蝕多晶硅層表面因為與空氣接觸而形成的氧化層；
S504，對多晶硅層未被光刻膠覆蓋部分正常進行干法腐蝕；
S506，在多晶硅層側壁形成保護層；
S508，對多晶硅層進行過腐蝕，去除殘留的多晶硅。
2.根據權利要求1所述的多晶硅層的腐蝕方法，其特征在于：所述S504步驟的結束，是使用質譜儀進行終點檢測來判定的。
3.根據權利要求1所述的多晶硅層的腐蝕方法，其特征在于：所述在多晶硅層側壁形成保護層，具體是通過對覆蓋在多晶硅層上的光刻膠進行反應離子腐蝕，在多晶硅側壁形成聚合物。
4.根據權利要求3所述的多晶硅層的腐蝕方法，其特征在于：所述聚合物是光刻膠在反應離子腐蝕后的產物，該反應離子腐蝕使用的反應氣體是氬氣、溴化氫氣體、氮氣的混合氣體；該聚合物成分是SixCYHBrzClNO，用以保護多晶硅側壁免受過腐蝕影響導致形貌被破壞。
5.根據權利要求1所述的多晶硅層的腐蝕方法，其特征在于：所述過腐蝕的腐蝕速率比S504步驟的腐蝕速率低。
6.根據權利要求1-5中任意一項所述的多晶硅層的腐蝕方法，其特征在于：所述S508步驟結束后需要回到S506步驟，進行循環。
7.根據權利要求6所述的多晶硅層的腐蝕方法，其特征在于：所述循環的次數根據不同生產條件下預先進行的實驗結果來設定。
8.根據權利要求6所述的多晶硅層的腐蝕方法，其特征在于：所述循環采用終點檢測系統對過腐蝕的終點進行檢測，來判定是否結束循環。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
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H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
