[發明專利]孔刻蝕中預去除聚合物的方法有效
| 申請號： | 200910109657.0 | 申請日： | 2009-11-18 |
| 公開（公告）號： | CN102064106A | 公開（公告）日： | 2011-05-18 |
| 發明（設計）人： | 許宗能;任小兵;薛浩;王吉偉 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華半導體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/311 | 分類號： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214000 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 刻蝕 去除 聚合物 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種孔刻蝕中預去除聚合物的方法，其特征在于：包括以下步驟：
等離子體刻蝕；
加入氧、氬混合等離子體替換刻蝕等離子氣體；
去膠工藝去除聚合物。
2.如權利要求1所述的孔刻蝕中預去除聚合物的方法，其特征在于：所述的聚合物為八氟化四碳與二氧化硅反應生成的碳鏈聚合物。
3.如權利要求1所述的孔刻蝕中預去除聚合物的方法，其特征在于：所述的等離子體刻蝕為干法等離子體刻蝕。
4.如權利要求1所述的孔刻蝕中預去除聚合物的方法，其特征在于：所述的加入氧、氬混合等離子體的時間為5-15秒。
5.如權利要求4所述的孔刻蝕中預去除聚合物的方法，其特征在于：加入的氧、氬混合等離子體中氧等離子體流量為10-30sccm，氬等離子體流量為100-200sccm。
6.如權利要求1所述的孔刻蝕中預去除聚合物的方法，其特征在于：所述的后續去膠工藝為干法或者濕法去膠工藝。
7.如權利要求6所述的孔刻蝕中預去除聚合物的方法，其特征在于：所述的干法去膠工藝時間為60秒。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
