[發(fā)明專利]一種太陽(yáng)能電池減反射膜及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910109564.8
• 申請(qǐng)日: 2009-08-07
• 公開（公告）號(hào): CN101989623A
• 公開（公告）日: 2011-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 龐宏杰;胡宇寧;王勝亞;姜占鋒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0216
• 分類號(hào): H01L31/0216;H01L31/0232;H01L31/18
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• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種太陽(yáng)能電池減反射膜及其制備方法。

背景技術(shù)

太陽(yáng)能電池的減反射膜，一方面能大大減少硅片對(duì)光的反射損失，進(jìn)而提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)化效率。另一方面還可以提高少數(shù)載流子的壽命，從而提高電池效率。

目前，太陽(yáng)能電池減反射膜主要為氮化硅薄膜，現(xiàn)有制備氮化硅薄膜方法主要為PECVD(等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積)和濺射法。其中PECVD應(yīng)用較廣。

現(xiàn)有的PECVD法制備的氮化硅薄膜，一般為先通入鈍化氣，高頻放電鈍化，然后再通入硅烷和氨氣，高頻放電沉積氮化硅薄膜。現(xiàn)有方法制出的減反射膜的均勻性和致密性較差，從而影響減反射膜的性能。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：現(xiàn)有技術(shù)中減反射膜的均勻性和致密性較差的問題，從而提供了一種均勻性和致密性良好的太陽(yáng)能電池減反射膜。

一種太陽(yáng)能電池減反射膜，其包括沉積在硅片正表面的氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜的平均折射率為2.1-2.3，平均反射率為1％-10％。

本發(fā)明還提供了一種上述太陽(yáng)能電池減反射膜的制備方法。

一種太陽(yáng)能電池減反射膜的制備方法，其包括第一次鍍膜、冷卻、第二次鍍膜；其中鍍膜包括前鈍化、沉積氮化硅、后鈍化。

本發(fā)明所提供的太陽(yáng)能減反射膜，其厚度均勻、薄膜致密、與硅片具有良好的附著性，并且反射率低、折射率佳。本發(fā)明所提供的方法，由于鈍化效果良好，從而還可以提高電池的轉(zhuǎn)化效率，還具有沉積溫度低、沉積效果好的優(yōu)點(diǎn)。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明制備方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

一種太陽(yáng)能電池減反射膜，其包括沉積在硅片正表面的氮化硅薄膜，氮化硅薄膜的平均折射率為2.1-2.3，平均反射率為1％-10％。

太陽(yáng)能減反射膜的厚度為50-90nm。

一種太陽(yáng)能電池減反射膜的制備方法，其包括第一次鍍膜、冷卻、第二次鍍膜；其中鍍膜包括前鈍化、沉積氮化硅、后鈍化。

其中，所述硅片是指經(jīng)過制絨、擴(kuò)散、去背結(jié)等工序處理的硅片。

本發(fā)明中鈍化的具體步驟是：將硅片放入PECVD反應(yīng)室中，抽真空，通入鈍化氣，高頻放電。

本發(fā)明優(yōu)選將PECVD反應(yīng)室抽真空抽至4Pa以下，對(duì)反應(yīng)室升溫，升至300-500℃并保持恒溫；然后通入鈍化氣。

鈍化氣為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的，本發(fā)明的鈍化氣優(yōu)選為氨氣。鈍化氣的流量為1000-5000sccm(standard-state?cubic?centimeterper?minute，標(biāo)況毫升每分鐘)。

高頻放電為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的操作，即通過高頻電源在待電離氣體上加高頻電壓，氣體在高頻電壓的作用下放電，形成等離子體。

本發(fā)明的鈍化氣在高頻放電作用下，形成氫等離子體。其中部分氫等離子體與硅表面的懸鍵及硅體內(nèi)晶界上的懸鍵或其它缺陷、雜質(zhì)結(jié)合，從而減少電子復(fù)合，提高電池的少數(shù)載流子壽命，從而提高電池效率。

本發(fā)明中優(yōu)選高頻電源的功率為1000-5000W。放電時(shí)間(即前鈍化時(shí)間)優(yōu)選30-300s。

沉積氮化硅是指前鈍化完畢后，向PECVD反應(yīng)室通入SiH₄和NH₃，高頻放電，進(jìn)行沉積。

其中SiH₄和NH₃的流量比優(yōu)選為1∶2-1∶12。

整個(gè)沉積氮化硅過程中，保持100-500Pa恒壓。

高頻放電的電源功率是1000-5000W，放電時(shí)間(即沉積氮化硅時(shí)間，也即第一次鍍膜時(shí)間)為6-356s。

后鈍化是指將經(jīng)過沉積氮化硅的硅片再進(jìn)行鈍化，后鈍化與前鈍化的操作基本相同。

后鈍化時(shí)間優(yōu)選為30-300s。

冷卻是指：在后鈍化之后，對(duì)反應(yīng)室進(jìn)行多次抽空、氮?dú)獯祾撸蝗缓髮⒐杵瑥腜ECVD反應(yīng)室中取出，在室溫下冷卻1-60min。

第二次鍍膜是指將經(jīng)過冷卻的硅片再前鈍化、沉積氮化硅、后鈍化處理。

其中，第二次鍍膜中沉積氮化硅的放電時(shí)間(即第二次鍍膜時(shí)間)優(yōu)選為356-600s。

本發(fā)明優(yōu)選的具體步驟如下：

一、第一次鍍膜：