[發明專利]薄膜晶體管

有效

• 申請號: 200910109336.0
• 申請日: 2009-08-14
• 公開（公告）號: CN101997035A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發明（設計）人: 劉鍇;馮辰;姜開利;劉亮;范守善
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/43;H01L27/12;H01L21/28;H01L21/283;H01L21/336
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1.一種薄膜晶體管，包括：

一源極；

一漏極，該漏極與該源極間隔設置；

一半導體層，該半導體層與該源極和漏極電連接；

一絕緣層以及

一柵極，該柵極通過該絕緣層分別與該半導體層、源極及漏極絕緣設置；

其特征在于，該源極、漏極和/或柵極分別包括一碳納米管金屬復合層，

該碳納米管金屬復合層包括一碳納米管層及包覆于該碳納米管層表面的金屬層。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述碳納米管層包括多個碳納米管通過范德華力相互連接組成一自支撐結構，所述金屬層包覆于所述碳納米管層中每個碳納米管的表面。

3.如權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述碳納米管層包括一層碳納米管膜。

4.如權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述碳納米管層包括多層碳納米管膜并排設置或層疊設置。

5.如權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述碳納米管層的厚度為0.5納米～100微米。

6.如權利要求3或4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述碳納米管膜包括多個碳納米管沿同一方向擇優取向排列。

7.如權利要求1所述的碳納米管金屬復合層，其特征在于，所述碳納米管金屬復合層的厚度為1.5納米～1毫米。

8.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述碳納米管金屬復合層的光透過率為70％-95％。

9.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述碳納米管金屬復合層包括多個碳納米管金屬復合線狀結構相互連接組成一網狀結構，該碳納米管金屬復合線狀結構包括至少一碳納米管線及包覆于該至少一碳納米管線表面的金屬層。

10.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述碳納米管金屬復合層包括多個碳納米管金屬復合線狀結構相互連接組成一網狀結構，該碳納米管金屬復合線狀結構包括至少一個金屬納米線以及復合于該至少一金屬納米線內部的碳納米管。

11.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬層包括一導電層，該導電層設置于碳納米管表面。

12.如權利要求11所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述導電層的材料為銅、銀、金或其合金，所述導電層的厚度為1～20納米。

13.如權利要求11所述的薄膜晶體管，其特征在于，該金屬層進一步包括一潤濕層，所述潤濕層設置碳納米管表面，所述潤濕層的材料為鐵、鈷、鎳、鈀、鈦或其合金，所述潤濕層的厚度為1～10納米。

14.如權利要求11所述的薄膜晶體管，其特征在于，該金屬層進一步包括一過渡層，該過渡層設置于碳納米管表面，所述過渡層的材料為銅、銀或其合金，所述過渡層的厚度為1～10納米。

15.如權利要求11所述的薄膜晶體管，其特征在于，該金屬層進一步包括一抗氧化層，該抗氧化層設置于所述碳納米管表面，所述抗氧化層的材料為金、鉑或其合金，所述抗氧化層的厚度為1～10納米。

16.如權利要求11所述的薄膜晶體管，其特征在于，該金屬層進一步包括一強化層，該強化層設置于所述碳納米管表面，所述強化層的材料為聚乙烯醇、聚苯撐苯并二惡唑、聚乙烯或聚氯乙烯，所述強化層的厚度為0.1～1微米。

17.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述絕緣層設置于所述柵極和半導體層之間。

18.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述絕緣層的材料為氮化硅、氧化硅、苯并環丁烯、聚酯或丙烯酸樹脂。

19.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極及漏極設置于所述半導體層表面。

20.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述半導體層具有相對的第一表面和第二表面，且所述半導體層通過其第一表面與一絕緣基板相連接，所述源極及漏極間隔設置于所述半導體層的第二表面，所述絕緣層設置于所述半導體層的第二表面，所述柵極設置于所述絕緣層表面，并通過絕緣層和該半導體層、源極和漏極電絕緣。

21.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管設置于一絕緣基板上，其中，所述柵極設置于該絕緣基板表面，所述絕緣層設置于所述柵極表面，所述柵極位于絕緣基板和絕緣層之間，所述半導體層設置于所述絕緣層表面，所述絕緣層位于所述半導體層與所述柵極之間，所述源極及漏極間隔設置于半導體層表面，并通過絕緣層與所述柵極電絕緣。