[發明專利]一種使用COC濾光片的LED光源

無效

• 申請號: 200910107276.9
• 申請日: 2009-05-13
• 公開（公告）號: CN102563542A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 李欣洋
• 申請（專利權）人: 李欣洋
• 主分類號: F21V9/00
• 分類號: F21V9/00;F21V9/04;F21V9/06;H01L33/00;F21Y101/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種使用具有截止紫外線和紅外線雙功能COC濾光片的LED光源，其特征在于包括具有至少一個LED芯片的LED器件，以及安裝在LED器件上用于過濾LED芯片發出的光線的濾光片，其中LED芯片發出的光經濾光片發射到外部。

2.根據權利要求1所述的LED光源，其特征在于所述濾光片在封裝LED器件時就加入，或者在對LED器件進行二次封裝時安裝，又或者多個LED器件共同使用一個濾光片。

3.根據權利要求1所述的LED光源，其特征在于LED器件為單色或多色，單色是在LED器件中封裝某一種發射波長的LED芯片，一個LED器件內至少有一個LED芯片；多色是將多種不同發射波長的LED芯片共同封裝在一個LED器件中。

4.根據權利要求1所述的LED光源，其特征在于所述COC濾光片是具有截止紫外線和紅外線雙功能的由COC成型的透明基材鍍膜形成，能夠吸收波長小于445nm的短波長范圍和波長大于700nm的長波長范圍內的光。

5.根據權利要求4所述的具有截止紫外線和紅外線雙功能的COC濾光片，由COC成型的透明基材鍍膜，包括COC成型的任意曲面的透鏡，或者任意薄膜片，或者任意立體幾何形狀；其特征是：由COC成型的透明基材表面鍍有紫外線截止膜層和紅外線截止膜層，紫外線截止膜層位于COC透明基材表面最外層或者紅外線截止膜層位于COC透明基材的最外層。

6.根據權利要求5所述的濾光片，其特征是所述的紫外線截止膜層為氧化鈦-氧化鈰膜層，氧化鈦和氧化鈰的質量比例為10～90％∶10～90％。

7.根據權利要求5所述的濾光片，其特征是所述的紫外線截止膜層厚度為10～500納米；其濾波波長范圍設定為445nm以下。

8.根據權利要求5所述的濾光片，其特征是所述的紅外線截止膜層由兩種高、低折射率材料薄膜相互間隔堆疊而成；該高折射率材料薄膜由五氧化二鉭形成；該低折射率材料薄膜由二氧化硅形成。

9.根據權利要求5所述的濾光片，其特征是所述的紅外線截止膜層厚度為10～500納米；其濾波波長范圍設定為大于700nm。

10.根據權利要求5所述的濾光片，其特征是：根據需要依一定次序鍍若干層紫外線截止膜層和紅外線截止膜層。

11.一種具有截止紫外線和紅外線雙功能的COC濾光片的制備方法，其特征是包括如下步驟：

1)首先對待鍍膜COC透明基材進行清洗、干燥后，進行預真空過渡；最后在真空設備中進行離子反濺射清洗，讓加速離子轟擊基片表面，去除雜質，得到清潔的COC透明基材；

2)然后采用磁控濺射鍍制方法鍍制膜層：

(1).配制截止紫外線和截止紅外線的靶材：

截止紫外線靶材：由氧化鈦(TiO₂)和氧化鈰(CeO₂)組成，氧化鈦和氧化鈰各組份所占質量百分比為：氧化鈦10～90％，氧化鈰10～90％；混合均勻并燒結成靶材。

截止紅外線靶材：低折射率薄膜靶材為高純度的硅；高折射率薄膜由五氧化二鉭組成；靶材為高純度的Ta₂O₅。

(2).磁控濺射鍍膜：在純氬氣或在氧氬混合氣體氛圍中對COC透明基材進行磁控濺射鍍膜，濺射氣壓范圍為0.10Pa～3.0Pa，濺射時氬氧混合氣體中氧氣所占質量百分比為0至90％；采用下述三種方式之一進行鍍膜：

(a)先由氧化鈦-氧化鈰靶材對COC透明基材進行磁控濺射鍍內層膜，在此基礎上，再由硅靶材和五氧化二鉭靶材進行磁控濺射鍍外層膜得到濾光片；

(b)先由硅靶材和五氧化二鉭靶材對COC透明基材進行磁控濺射鍍內層膜，在此基礎上，再由氧化鈦-氧化鈰靶材進行磁控濺射鍍外層膜得到濾光片；

(c)依一定次序在COC透明基材上鍍若干層紫外線截止膜層和紅外線截止膜層，得到濾光片。

12.根據權利要求11所述的濾光片的制備方法，其特征是所述的步驟2)中的COC透明基材鍍膜時采用在線加熱，熱處理溫度為20～160℃。

13.根據權利要求1所述的LED光源，其特征在于可以制造任何形狀的照明燈具，并且符合IEC?60825-2007和IEC?62471-2006，以及光輻射安全國家標準：GB/T?20145-2006“燈與燈系統的光生物安全性”。