[發明專利]一種光源裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 200910107058.5
• 申請日: 2009-05-05
• 公開（公告）號: CN101562224A
• 公開（公告）日: 2009-10-21
• 發明（設計）人: 魏培坤;姚永德;魏大華;許勝裕;周明德;林子斌;莫啟能
• 申請（專利權）人: 深圳華映顯示科技有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;F21S2/00
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所
• 代理人: 張全文

1.一種光源裝置的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一基板，所述基板包括一發光元件區、及位于所述發光元件區周圍的一周邊區；

在所述基板上方形成一納米島狀圖案層；以及

在所述基板的所述發光元件區形成一發光元件；

其中，所述發光元件發射出一光線、且部分所述光線于所述基板中進行傳輸，而所述納米島狀圖案層使在所述基板中傳輸的光線向所述基板的外部出射；

形成所述納米島狀圖案層的步驟包括：

在所述基板上形成一納米材料層；以及

加熱所述納米材料層，以使所述納米材料層產生去濕潤作用，而形成非周期性地排列的多個納米島狀物。

2.如權利要求1所述的光源裝置的制造方法，其特征在于，加熱所述納米材料層的時間是10分鐘～60分鐘，溫度是200℃～400℃，所述基板上形成所述納米材料層的方法包括濺鍍法，所述納米材料層的厚度為1納米～20納米。

3.如權利要求1所述的光源裝置的制造方法，其特征在于，在所述基板上形成所述一納米材料層的步驟之前，所述方法還包括：在所述基板上先形成所述發光元件的一第一電極層。

4.如權利要求1所述的光源裝置的制造方法，其特征在于，所述納米島狀圖案層形成于所述基板的所述發光元件區或者形成于所述基板的所述周邊區，所述納米島狀圖案層的材質包括金屬，所述金屬是選自于金、銀、鎳、鐵及其組合。

5.一種光源裝置，其特征在于，所述光源裝置包括：

一基板，具有一發光元件區、及位于所述發光元件區周圍的一周邊區；

一納米島狀圖案層，配置于所述基板上方；以及

一發光元件，設置于所述發光元件區；

其中，所述發光元件發射出一光線、且部分所述光線于所述基板中進行傳輸，而所述納米島狀圖案層使在所述基板中傳輸的光線向所述基板的外部出射；

形成所述納米島狀圖案層的步驟包括：

在所述基板上形成一納米材料層；以及

加熱所述納米材料層，以使所述納米材料層產生去濕潤作用，而形成非周期性地排列的多個納米島狀物。

6.如權利要求5所述的光源裝置，其特征在于，所述納米島狀圖案層包括非周期性地排列的多個納米島狀物，所述納米島狀圖案層設置于所述基板的所述發光元件區或者所述基板的所述周邊區，所述納米島狀圖案層的材質包括金屬，所述金屬是選自于金、銀、鎳、鐵及其組合，所述納米島狀圖案層的厚度是介于1納米～20納米之間。

7.如權利要求5項所述的光源裝置，其中所述發光元件包括：

一第一電極，配置于所述基板上；

一發光層，配置于所述第一電極的上方；以及

一第二電極，配置于所述發光層的上方。

8.如權利要求7項所述的光源裝置，其特征在于，所述第一電極的材質包括銦錫氧化物或銦鋅氧化物，所述第二電極的材質包括金屬，所述發光層的材質包括經摻雜三(8-羥基喹啉)鋁(AlQ3)的混合發光材質。

9.如權利要求8項所述的光源裝置，其特征在于，所述光源裝置還包括一空穴傳輸層，設置于所述第一電極與所述發光層之間，所述空穴傳輸層的材質包括N，N’-兩(1-萘基)-N，N’兩-(苯基)-對二氨基聯苯(NPB)；或者所述光源裝置還包括一電子傳輸層，設置于所述發光層與所述第二電極之間，所述電子傳輸層的材質包括三(8-羥基喹啉)鋁(AlQ3)。