[發(fā)明專利]電介質(zhì)薄膜、薄膜電容器及其制作方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910106869.3
• 申請(qǐng)日: 2009-04-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101872680A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 于淑會(huì);孫蓉;范艷華;李磊;萬(wàn)里兮;杜如虛;尹衍升
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳先進(jìn)技術(shù)研究院
• 主分類號(hào): H01G4/12
• 分類號(hào): H01G4/12;H01G4/33;H01B3/12;C04B35/468;C04B35/47
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 曾旻輝

1.一種電介質(zhì)薄膜，其特征在于：薄膜組分為Ba_1-x-ySr_yMn_xTiO₃，其中0≤y＜1，0＜x≤0.05。

2.如權(quán)力要求1所述的電介質(zhì)薄膜，其特征在于：所述薄膜具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)。

3.如權(quán)利要求2所述的電介質(zhì)薄膜，其特征在于：薄膜厚度小于1μm；薄膜的介電常數(shù)大于等于400，介電損耗低于等于0.02，漏電流密度小于等于100μA/cm²。

4.一種采用權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的電介質(zhì)薄膜制成的薄膜電容器，其特征在于：該電容器包括充當(dāng)?shù)纂姌O的金屬箔、所述電介質(zhì)薄膜以及在所述電介質(zhì)薄膜上形成的頂電極。

5.如權(quán)利要求4所述的薄膜電容器，其特征在于：所述底電極為表面粗糙度＜20nm的金屬箔。

6.一種采用如權(quán)利要求1-3中任意一項(xiàng)所述的電介質(zhì)薄膜制備薄膜電容器的方法，其特征在于：包括以下步驟：

提供一種含有Ba²⁺、Sr²⁺、Mn²⁺、Ti⁴⁺和氧元素的前驅(qū)體溶液；

將作為底電極的金屬箔拋光至粗糙度＜20nm；

將所述前驅(qū)體溶液沉積于金屬箔之上形成所述電介質(zhì)薄膜；

在溫度區(qū)間400～600℃進(jìn)行預(yù)退火；

在700～900℃溫度區(qū)間進(jìn)行最后退火；

在電介質(zhì)薄膜之上沉積頂電極。

7.如權(quán)利要求6所述的制備薄膜電容器的方法，其特征在于：所述前驅(qū)體溶液中，Ba²⁺、Sr²⁺和Mn²⁺的摩爾數(shù)之和等于Ti⁴⁺的摩爾數(shù)。

8.如權(quán)利要求6所述的制備薄膜電容器的方法，其特征在于：所述最后退火步驟中，自動(dòng)得到具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的Ba_1-y-xSr_yMn_xTiO₃薄膜，其中0≤y＜1，0＜x≤0.05；

9.如權(quán)利要求6所述的制備薄膜電容器的方法，其特征在于，在預(yù)退火和最后退火步驟中，氧分壓均維持在10^-60～10^-20atm之間。

10.如權(quán)利要求6所述的制備薄膜電容器的方法，其特征在于，所述前驅(qū)體溶液的濃度在0.1～0.5mol/L之間。