[發明專利]一種感光器件及其讀取方法、讀取電路有效
| 申請號: | 200910106477.7 | 申請日: | 2009-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN101853861A | 公開(公告)日: | 2010-10-06 |
| 發明(設計)人: | 胡笑平 | 申請(專利權)人: | 博立碼杰通訊(深圳)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/144 | 分類號: | H01L27/144;H04N5/335 |
| 代理公司: | 深圳鼎合誠知識產權代理有限公司 44281 | 代理人: | 宋鷹武 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 感光 器件 及其 讀取 方法 電路 | ||
1.一種感光器件,包括象素陣列和讀取電路,其特征在于,所述象素陣列中,至少在部分象素間設置有連接鄰近象素、并實現相連象素間電荷轉移的轉移門,所述讀取電路用于從一個象素中讀取該象素的電荷,所述電荷是該象素自身電荷、來自該象素鄰近象素的轉移電荷、該象素自身電荷與其一個或一個以上鄰近象素的轉移電荷的疊加、和該象素的兩個或兩個以上鄰近象素的轉移電荷的疊加的至少一種。
2.如權利要求1所述的感光器件,其特征在于,所述部分象素中,一個象素通過所述轉移門連接的鄰近象素包括該象素上下左右四個方向的鄰近象素。
3.如權利要求1或2所述的感光器件,其特征在于,所述象素陣列中的各個象素間都設置有所述轉移門。
4.如權利要求1至3任一所述的感光器件,其特征在于,所述讀取電路是在讀出與之相連的象素的自身電荷并對該象素清零后,再讀取從該象素的鄰近象素轉移過來的電荷的。
5.如權利要求1至4任一所述的感光器件,其特征在于,所述讀取電路包括主動象素讀取電路、被動象素讀取電路、或主動象素與被動象素混合讀取電路。
6.如權利要求5所述的感光器件,其特征在于,所述主動象素包括3T、4T、5T、或6T主動象素。
7.如權利要求1至6任一所述的感光器件,其特征在于,所述讀取電路的共享方式包括無共享方式、4點共享方式、6點共享方式、8點共享方式、或任意點共享方式。
8.如權利要求7所述的感光器件,其特征在于,當所述讀取電路的共享方式為4點共享方式、6點共享方式、8點共享方式、或任意點共享方式時,共享一個讀取電路的一個象素集中,與該讀取電路不相連的象素到與該讀取電路相連的象素間的轉移距離不超過4個象素。
9.如權利要求1至8任一所述的感光器件,其特征在于,所述感光器件包括單面單層、單面雙層、單面多層、雙面雙層、雙面多層感光器件。
10.如權利要求1至9任一所述的感光器件,其特征在于,所述感光器件的感光方式包括正面感光、背面感光、或雙面感光方式。
11.如權利要求1至10任一所述的感光器件,其特征在于,所述象素陣列中的象素根據單色、彩色、或包含可見光和紅外的多光譜感光所要求的預設圖案重復排列。
12.如權利要求11所述的感光器件,其特征在于,所述預設圖案包括貝葉圖案、蜂窩圖案、單色圖案,CyYeMgX圖案,其中X是R(紅)、G(綠)、B(藍)中的任意一種色彩。
13.一種感光器件的讀取方法,其特征在于,包括:
在所述感光器件的象素陣列中的至少部分象素間,設置連接鄰近象素、并實現相連象素間電荷轉移的轉移門;
從一個象素中讀取該象素的電荷,所述電荷是該象素自身電荷、來自該象素鄰近象素的轉移電荷、該象素自身電荷與其一個或一個以上鄰近象素的轉移電荷的疊加、和該象素的兩個或兩個以上鄰近象素的轉移電荷的疊加的至少一種。
14.如權利要求13所述的讀取方法,其特征在于,從一個象素中讀取該象素的鄰近象素的轉移電荷,是在讀出與之相連的象素的自身電荷并對該象素清零之后。
15.如權利要求13或14所述的讀取方法,其特征在于,包括采樣和子采樣過程,所述采樣和子采樣過程包括:第一合并過程,用于對所述象素陣列中的緊鄰的同行異列、異行同列、或異行異列的象素間進行兩兩合并采樣,獲得第一合并象素的采樣數據;第二合并過程,用于對第一合并過程得到的第一合并象素的采樣數據進行合并采樣,獲得第二合并象素的采樣數據。
16.如權利要求15所述的讀取方法,其特征在于,還包括:第三合并過程,用于對第二合并過程得到的第二合并象素的采樣數據進行合并采樣,獲得第三合并象素的采樣數據。
17.如權利要求15或16所述的讀取方法,其特征在于,所述第一合并過程或第二合并過程的象素合并采樣方式為相同或不同色彩象素間的電荷相加方式或不同色彩象素間的信號平均方式,其中不同色彩象素間的象素合并方式遵照色彩空間變換的方式,以滿足色彩重建的要求。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





