[發明專利]巨磁阻復合材料有效
| 申請號: | 200910105114.1 | 申請日: | 2009-01-16 |
| 公開(公告)號: | CN101783387A | 公開(公告)日: | 2010-07-21 |
| 發明(設計)人: | 胡春華;劉長洪;范守善 | 申請(專利權)人: | 清華大學;鴻富錦精密工業(深圳)有限公司 |
| 主分類號: | H01L43/10 | 分類號: | H01L43/10;C08L83/04;C08L75/04;C08L63/00;C08L33/12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 磁阻 復合材料 | ||
技術領域
本發明涉及一種巨磁阻復合材料,尤其涉及一種包含有碳納米管的巨磁 阻復合材料。
背景技術
自從1988年,巨磁阻(Giant?Magneto-Resistance,GMR)效應發現以來 (請參見Baibich,M.N.et?al.,Phy.Rev.Lett.1988,61.2472),由于其在計算 機硬盤讀取磁頭,磁傳感器以及磁記錄方面具有重大的應用價值,巨磁阻材 料引起了廣泛關注。巨磁阻材料的研究及應用開發已經成為當前凝聚態物理 學和材料科學的熱點之一。巨磁阻效應是指在一定的溫度下,當加在巨磁阻 材料上的磁場發生變化時,巨磁阻材料的電阻可產生一個較大的變化。
傳統的巨磁阻(GMR)材料主要分為兩類:一類是多層膜結構,即磁性 金屬膜和非磁性材料膜互相間隔重疊形成。另一種是顆粒膜結構,即磁性金 屬顆粒粉分散于非磁性金屬或絕緣體中。巨磁阻材料的磁阻用MR (Magnetoresistance)表示,其定義為MR=(R(H)-R(0))/R(0),其中R(0)為該 巨磁阻材料未加磁場時的電阻,R(H)為該巨磁阻材料加磁場強度為H的磁場 時的電阻,MR用來描述巨磁阻材料的巨磁阻特性,MR越大材料的巨磁阻 性能越好。
具有多層膜結構的巨磁阻材料,其可以由適當的鐵磁層(如Fe,Co,Ni) 和非鐵磁層(如Cu,Cr,Ar)相間生長而成。由于磁晶各向異性,這種具有 多層膜結構的巨磁阻材料,在外磁場作用下,其沿著易磁化軸和難磁化軸方 向的磁阻曲線是不一致的。這種巨磁阻材料的MR在低溫(4.2K,零下269 攝氏度)時的值為10%,但實際應用需要巨磁阻材料在常溫下具有大于5% 的MR,因此,上述巨磁阻材料只有在低溫下才具有巨磁阻效應,其應用范 圍狹窄。而且該巨磁阻材料為金屬制成,其硬度較大,不易剪裁,也限制了 其應用。由鐵磁層和非鐵層構成的多層膜結構的巨磁阻材料,可以通過分子 束外延,電沉積法,超高真空蒸發以及磁控濺射等方法制備。上述制備方法, 過程較復雜,成本較高。
請參見“巨磁阻效應研究的最新進展”(王麗麗,賈城,哈爾濱師范大學 自然科學學報,2005年,第21卷,第1期)。顆粒膜結構的巨磁阻效應是最 近幾年才發現,通常是指微顆粒(納米量級)分散于薄膜中所產生的復合膜, 如常見的Fe,Co微顆粒嵌于Ag,Cu等薄膜中構成。顆粒膜屬于非均勻相組 成的體系,顆粒膜中的異相界面(凡結構相同而取向不同的晶體相互接觸, 其接觸界面稱為晶界。如果相鄰晶粒不僅位向不同,而且結構、組成也不相 同,即它們代表不同的兩個相,測其間界稱為相界面或界面。)對電子輸運 性質和電,磁,光等特性都有明顯的影響。顆粒膜與多層膜有許多相似之處, 二者都屬于二相或多相復合非均勻體系。但顆粒膜中的顆粒是混亂的統計分 布,其工藝制備相對多層膜簡單且較實用。常見的制備方法有共蒸法,共濺 射,離子注入等。一般實驗室多采用磁控濺射及離子束濺射的方法制備。磁 性顆粒膜巨磁阻效應存在的問題是:由于鐵磁顆粒處在超順磁態,獲得巨磁 阻效應需要非常高的飽和磁場。并且,該巨磁阻材料由金屬制成,其硬度較 大,不易剪裁,限制了該材料的使用。
碳納米管是一種新型一維納米材料,其具有優異的導電性能、較高的抗 張強度和較高的熱穩定性,在材料科學、化學、物理學等交叉學科領域已展 現出廣闊的應用前景。目前,已有將碳納米管與高分子材料混合,制造復合 材料。范守善等于2006年6月16日申請,2007年12月19日公開的公開 號為CN101090586的專利申請,公開了一種納米柔性電熱材料及包括該納 米柔性電熱材料的加熱裝置。請參閱圖1,所述納米柔性電熱材料10包括 柔性高分子基底材料14及分散在柔性高分子基底材料14中的大量碳納米管 12。碳納米管12互相搭接在柔性高分子基底材料14中形成大量導電網絡, 從而納米柔性電熱材料10可以導電,通電以后可發熱,發熱后,所述的納 米柔性電熱材料10體積發生膨脹。該專利申請未揭示所述納米柔性電熱材 料10具有巨磁阻特性。
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