[發(fā)明專利]一種過熱保護(hù)電路無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910103347.8 | 申請日： | 2009-03-11 |
| 公開（公告）號： | CN101588056A | 公開（公告）日： | 2009-11-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 胡永貴;冉建橋;余金峰 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國電子科技集團(tuán)公司第二十四研究所 |
| 主分類號： | H02H3/26 | 分類號： | H02H3/26 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 400060重*** | 國省代碼： | 重慶;85 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 過熱 保護(hù) 電路 | ||
1.一種過熱保護(hù)電路，其特征在于，它含有：
一個(gè)施密特觸發(fā)器單元，包括：
四個(gè)PMOS管M4、M5、M8、M10和四個(gè)NMOS管M6、M7、M9、M11，其中，M4的源極與電源VCC相接，M4的漏極分別與M5、M8的源極相接，M8的漏極接地，M4、M5、M6、M7的柵極連接在一起，M7的漏極分別與M6、M9的源極相接，M9的源極接電源VCC，M7的源極接地，M5、M6的漏極與M8、M9、M10、M11的柵極連接在一起，M4、M5、M8、M10的襯底接電源VCC，M6、M7、M9、M11的襯底接地；
M4、M5、M6、M7的柵極連接在一起，形成施密特觸發(fā)器單元的輸入A1，M10的漏極與M11的漏極相接，形成施密特觸發(fā)器單元的輸出A2；
一個(gè)熱敏單元，包括：
三個(gè)PMOS管M12、M13、M14和一個(gè)NMOS管M16，其中，M14的漏極與M12、M13、M14的柵極連接在一起，M14的漏極還與耗盡型NMOS管M16的柵極、漏極相接，形成熱敏單元的偏置，M12、M13、M14的源極和襯底與電源VCC相接；和
一個(gè)NPN晶體管Q2、一個(gè)NMOS管M15和兩個(gè)熱敏電阻R5、R6，其中，Q2的集電極接M12的漏極，構(gòu)成熱敏單元的輸出A1，即施密特觸發(fā)器單元的輸入A1，Q2的基極分別與M13的漏極和R5的1端相接，M15的漏極分別與R5的2端和R6的1端相接，R6的2端接地，M15的源極、襯底接地，M15的柵極接施密特觸發(fā)器單元的輸出A2，即與M10、M11的漏極相接。
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