[發(fā)明專利]一種氮化鎵基發(fā)光二極管外延層表面粗化的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910102321.1 | 申請日： | 2009-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN101714594A | 公開（公告）日： | 2010-05-26 |
| 發(fā)明（設計）人： | 田洪濤 | 申請（專利權）人： | 杭州士蘭明芯科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氮化 發(fā)光二極管 外延 表面 方法 | ||
【權利要求書】：
1.氮化鎵基發(fā)光二極管外延層表面粗化的方法，其特征在于包括：
(1)在圖形化藍寶石襯底上生長氮化鎵外延層；
(2)在氮化鎵外延層表面生長SiO2薄膜或者SiNx薄膜；
(3)在SiO2薄膜或者SiNx薄膜上涂敷光刻膠，制作光刻圖形；
(4)刻蝕光刻膠窗口下的SiO2或者SiNx薄膜，將光刻圖形轉移到SiO2或者SiNx薄膜上，去膠后得到圖形化的SiO2或者SiNx薄膜；
(5)步驟(4)得到的SiO2或者SiNx薄膜上外延生長P型氮化鎵，所述生長的P型氮化鎵的厚度不超過SiO2或者SiNx薄膜的厚度；
(6)腐蝕SiO2或者SiNx薄膜獲得凸凹起伏的表面。
2.如權利要求1所述的氮化鎵基發(fā)光二極管外延層表面粗化的方法，其特征在于步驟(2)所述SiO2?薄膜或者SiNx薄膜的厚度在20～1000nm之間。
3.如權利要求1所述的氮化鎵基發(fā)光二極管外延層表面粗化的方法，其特征在于步驟(2)所述SiO2?薄膜或者SiNx薄膜的厚度在20～500nm之間。?
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