[發明專利]一種適用于圖像傳感器像素陣列的光學鄰近校正方法無效
| 申請號: | 200910102203.0 | 申請日: | 2009-09-03 |
| 公開(公告)號: | CN101644890A | 公開(公告)日: | 2010-02-10 |
| 發明(設計)人: | 林斌;嚴曉浪;趙立新;史崢;李杰;孟慶;薛江 | 申請(專利權)人: | 浙江大學 |
| 主分類號: | G03F1/14 | 分類號: | G03F1/14;G06F17/50;H01L21/00;H04N5/335 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務所有限公司 | 代理人: | 韓介梅 |
| 地址: | 310027*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 適用于 圖像傳感器 像素 陣列 光學 鄰近 校正 方法 | ||
1.一種適用于圖像傳感器像素陣列的光學鄰近校正方法,其特征是包括參數初始化,版圖層次化處理,對稱圖形對稱切分,對稱圖形對稱化校正,具體步驟如下:
1)參數初始化:?
設定光學鄰近效應校正的仿真模型,
光刻掩模圖形,GDSII輸入,
光刻掩膜圖形的特征尺寸D,
光刻機的基本參數,λ,NA,σ;其中:λ是光源的波長,NA是光學系統的數值孔徑,σ是照明的相干系數;
2)通過光學仿真模型參數和版圖圖形特點確定圖形相互影響距離;
3)版圖層次化處理:
將版圖打平至只含最小單元,將最小版圖單元的所有實例的圖形環境進行比較歸類,環境相同的實例歸為同一個版圖單元,環境不同的實例歸為新的版圖單元;
4)對上述3)中得到的所有版圖單元做光學鄰近校正:
a)將單元所含圖形,向外擴展一段距離,該距離大小為圖形相互影響距離,提取范圍內所有圖形得到等待光學鄰近校正的圖形集合;
b)對a)中得到的圖形集合的邊進行切分,對稱圖形各部分相應的邊按照相同的規則切分,保證對稱圖形的切分結果仍然對稱;
c)對b)中得到的切分后的多邊形進行OPC迭代運算,對其中的對稱圖形采用對稱性同步迭代運算:
將對稱圖形分為完全相同的N個部分,N為可以得到的完全相同部分的最大數量,標記序號為1,2,3,……N,不對稱圖形視為N=1的對稱圖形;
I)對序號為1的部分的某段線段計算光強,得到該線段偏移量,將該偏移量映射到其余N-1個部分的對應線段處,得到全部N段該對稱位置線段的偏移量;
II)對其余線段同樣采用I)中的方法得到其偏移量;
d)光學鄰近效應校正的校正終止條件:
在每次光學鄰近效應校正迭代后按式(1)計算校正結果的精確度,?
式中Cost是代價函數,EPE為線段位置誤差函數,x為每一段上的光強評估點位置,D表示設計目標的圖形輪廓,W表示實際仿真的圖形輪廓,求和對輸入掩模圖形上的所有光強評估點進行,如果校正精度不滿足預定義的要求值Cost0,則按步驟c)繼續迭代,直到滿足精度要求終止迭代,或達到預定的迭代次數終止迭代;
e)移除光學鄰近校正結果中的環境圖形,即a)中向外擴展部分的圖形;
f)將e)中得到的該單元的光學鄰近校正結果映射回對應的實例中,得到整個版圖的光學鄰近校正結果。
2.根據權利要求1所述的適用于圖像傳感器像素陣列的光學鄰近校正方法,其特征是所說的圖形相互影響距離為光學仿真模型的半徑;或為5倍的光學仿真模型的半徑。?
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





