[發(fā)明專利]一種用于測試半導體生產工藝缺陷的測試芯片及制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910102099.5
• 申請日: 2009-08-31
• 公開（公告）號: CN101640180A
• 公開（公告）日: 2010-02-03
• 發(fā)明（設計）人: 潘偉偉;鄭勇軍;馬鐵中;史崢;嚴曉浪
• 申請（專利權）人: 浙江大學;杭州廣立微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 杭州天勤知識產權代理有限公司
• 代理人: 胡紅娟

1.一種用于測試半導體生產工藝缺陷的測試芯片，包括：

(1)用來給測試單元賦予一個地址的周圍地址譯碼電路，由行地址的譯碼電路和列地址的譯碼電路組成；行地址的譯碼電路產生行選擇信號，控制信號選擇電路行通導管的通斷，從測試單元陣列諸多行中選出所需的行；列地址的譯碼電路產生列選擇信號，控制信號選擇電路列通導管的通斷，從行地址的譯碼電路選擇的行的多個信號通路中選出所需要的某個測試單元的信號通路；

所述的行地址的譯碼電路由m個行地址位組成，所述的列地址的譯碼電路由n個列地址位組成，產生2^m×2ⁿ的陣列的選擇信號；m＝1，2，…，9，10…，n＝1，2，…，9，10…，m、n為自然數(shù)；

(2)用于控制測試信號是否進入選中的測試單元的信號選擇電路；

所述的信號選擇電路控制端與周圍地址譯碼電路相連，由位于測量信號與測試單元之間的行通導管和列通導管串聯(lián)而成的；當測試單元所在位置的行與列的選擇信號均為高電平時，信號通路導通，使信號線上的測試信號能通過，信號線上的測試信號就能單獨地進入到所述的測試單元，測試信號對相應的測試單元進行測試；

(3)用于測試生產工藝的缺陷的測試單元；

所述的測試單元與信號選擇電路相連，按行列排布成陣列形式，每個測試單元的兩端分別接有至少兩個通導管；所述的測試單元的測試信號通過信號線對生產工藝中需要測試的單元進行測試；

將所述的測試單元中測試功能相同或測試方法相同或測試功能和測試方法均相同的若干個測試單元組成測試模塊；

所述的測試單元采用短程測試芯片的測試單元，所述的測試單元的內容是由芯片設計的目的而定。

2.根據(jù)權利要求1所述的用于測試半導體生產工藝缺陷的測試芯片，其特征在于：所述的行地址的譯碼電路采用二級譯碼，包括行地址預譯碼器和行地址二級譯碼器，所述的行地址預譯碼器和行地址二級譯碼器由m個行地址位組成；

所述的列地址的譯碼電路采用二級譯碼，包括列地址預譯碼器和列地址二級譯碼器，由n個列地址位組成。

3.根據(jù)權利要求1所述的用于測試半導體生產工藝缺陷的測試芯片，其特征在于：所述的信號選擇電路的通導管是一個NMOS開關管。

4.根據(jù)權利要求1所述的用于測試半導體生產工藝缺陷的測試芯片，其特征在于：所述的測試單元的大小為最小單元大小或者最小單元的整數(shù)倍大小。

5.根據(jù)權利要求1所述的用于測試半導體生產工藝缺陷的測試芯片，其特征在于：所述的每一個測試模塊都有獨立的周圍地址譯碼電路和信號選擇電路。

6.根據(jù)權利要求1所述的用于測試半導體生產工藝缺陷的測試芯片，其特征在于：所述的測試單元采用四端電阻法測其電阻阻值，采用二端電阻法測其漏電流大小。

7.根據(jù)權利要求1所述的用于測試半導體生產工藝缺陷的測試芯片，其特征在于：相鄰的兩個測試單元共享一端的信號選擇電路。

8.根據(jù)權利要求1所述的用于測試半導體生產工藝缺陷的測試芯片，其特征在于：所述的測試芯片的測試單元放置在最小單元大小或者最小單元大小的整數(shù)倍大小的測試空間中來整合測試單元、信號選擇電路和周圍地址譯碼電路的版圖位置；所述的測試空間最小單元大小大于測試單元的最小單元大小。