[發(fā)明專利]一種絕緣柵雙極型晶體管

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910101803.5
• 申請日: 2009-08-31
• 公開（公告）號: CN101667592A
• 公開（公告）日: 2010-03-10
• 發(fā)明（設計）人: 屈志軍;曾祥
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫鳳凰半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06
• 代理公司: 杭州裕陽專利事務所（普通合伙）
• 代理人: 江助菊

1、一種絕緣柵雙極型晶體管，其包括在N-襯底表面進行低濃度的N-離子注入形成的襯底，形成在襯底表面的柵極氧化層，淀積在柵極氧化層上的多晶硅柵極，形成在柵極氧化層與N-襯底之間的p+阱區(qū)及位于p+阱區(qū)與柵極氧化層之間的N+阱區(qū)，位于N-襯底下方的背面注入?yún)^(qū)，位于注入?yún)^(qū)下方的集電極及位于柵極氧化層上方的發(fā)射極，其特征在于：所述多晶硅柵極為非連續(xù)的兩部分，在柵極氧化層下方的N-型襯底上增加了一個濃P型阱區(qū)。

2、如權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于：所述濃P型阱區(qū)位于柵極氧化層正中央下方，多晶硅柵極之間的間隙小于p阱區(qū)的橫向?qū)挾取?/p>

3.如權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于：所述濃P型阱區(qū)位于柵極氧化層正中央下方，多晶硅柵極之間的間隙大于p阱區(qū)的橫向?qū)挾取?/p>

4、如權(quán)利要求1或2所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于：所述p+阱區(qū)由高濃度的p+離子注入形成在對多晶硅光刻后的光刻區(qū)域內(nèi)，接著進行擴散，隨后在光刻區(qū)進行濃N+離子注入形成N+阱區(qū)。

5、如權(quán)利要求4所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于：N+阱區(qū)形成后接著再進行擴散；隨后進行引線孔光刻及正面蒸鍍金屬膜形成發(fā)射極。

6.如權(quán)利要求5所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于：接著再進行襯底背面研磨使圓片背面減薄進而進行高濃度p+離子注入形成注入?yún)^(qū)，最后在背面蒸鍍金屬膜形成集電極。