[發明專利]濃鹽酸環路水解二甲基二氯硅烷工藝有效
| 申請號: | 200910101545.0 | 申請日: | 2009-08-13 |
| 公開(公告)號: | CN101619072A | 公開(公告)日: | 2010-01-06 |
| 發明(設計)人: | 趙騫 | 申請(專利權)人: | 趙騫 |
| 主分類號: | C07F7/18 | 分類號: | C07F7/18;C01B7/01 |
| 代理公司: | 浙江翔隆專利事務所 | 代理人: | 張建青 |
| 地址: | 310027浙江省杭州市西湖區*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 鹽酸 環路 水解 甲基 硅烷 工藝 | ||
1.濃鹽酸環路水解二甲基二氯硅烷工藝,其步驟如下:在相轉移催化劑存在的條件下,將二甲基二氯硅烷錯流噴射入大量的飽和濃鹽酸主流體中進行混合,飽和濃鹽酸所含的水與二甲基二氯硅烷的摩爾比為200~1000∶1;接著,所得的混合物在填料塔中進行水解反應;然后通過降膜分離器將反應生成的氯化氫氣體直接采出作為生產氯甲烷的原料,水解反應所得的溶液在循環槽中進行層析,分出液態有機硅水解物與飽和濃鹽酸兩相,上層有機硅水解物出料,下層飽和濃鹽酸循環使用;
所述的相轉移催化劑為陰離子型或陽離子型的表面活性劑或離子液體,所述的陰離子型表面活性劑選用全氟辛基磺酸鉀或辛烷基磺酸鈉;所述的陽離子表面活性劑選用甲基三苯基溴化銨;所述離子液體的陽離子選用1,3-二烷基取代的咪唑離子,陰離子選用AlCl4-、BF4-、PF4-、CF3COO-、CFSO3-、(CF3SO2)2N-或SbF6-。
2.根據權利要求1所述的濃鹽酸環路水解二甲基二氯硅烷工藝,其特征在于飽和濃鹽酸所含的水與二甲基二氯硅烷的摩爾比為400~600∶1。
3.根據權利要求1或2所述的濃鹽酸環路水解二甲基二氯硅烷工藝,其特征在于二甲基二氯硅烷與飽和濃鹽酸的混合在錯流噴射混合器中進行。
4.根據權利要求1或2所述的濃鹽酸環路水解二甲基二氯硅烷工藝,其特征在于所述的相轉移催化劑在飽和濃鹽酸中的質量比為0.05~2%。
5.根據權利要求1所述的濃鹽酸環路水解二甲基二氯硅烷工藝,其特征在于水解反應的反應溫度為30~80℃,操作壓力為0.15~0.4Mpa,停留時間為10~60秒。
6.根據權利要求5所述的濃鹽酸環路水解二甲基二氯硅烷工藝,其特征在于水解反應的水解反應溫度為55~65℃,操作壓力為0.23~0.27MPa,停留時間為12~18秒。
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