[發明專利]一種基于二氧化鈦薄膜的紫外電致發光器件無效
| 申請號： | 200910101385.X | 申請日： | 2009-08-03 |
| 公開（公告）號： | CN101630713A | 公開（公告）日： | 2010-01-20 |
| 發明（設計）人： | 馬向陽;章圓圓;陳培良;楊德仁 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知識產權代理有限公司 | 代理人： | 胡紅娟 |
| 地址： | 310027浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 氧化 薄膜 紫外 電致發光 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于二氧化鈦薄膜的紫外電致發光器件，其特征在于：在硅 襯底(1)的正面自下而上依次是SiO2薄膜(2)、TiO2薄膜(3)和ITO 電極(4)，在硅襯底背面沉積歐姆接觸電極(5)；
所述的SiO2薄膜厚度為2～100nm。
2.一種基于二氧化鈦薄膜的紫外電致發光器件的制備方法，包括以 下步驟：
1)將電阻率為0.005-50歐姆·厘米的硅襯底清洗后，沉積SiO2薄膜；
2)在SiO2薄膜上沉積TiO2薄膜；
3)在TiO2薄膜上濺射透明ITO電極，在硅襯底背面沉積歐姆接觸電 極；
所述的SiO2薄膜厚度為2～100nm。
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