[發(fā)明專利]一種優(yōu)序法的GPP芯片腐蝕方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910100187.1
• 申請日: 2009-07-02
• 公開（公告）號: CN101604629A
• 公開（公告）日: 2009-12-16
• 發(fā)明（設計）人: 王堅紅
• 申請（專利權）人: 浙江常山隆昌電子有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/00
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司
• 代理人: 劉曉春

1.一種優(yōu)序法的玻璃披覆鈍化芯片腐蝕方法，其特征在于它在溝槽腐蝕時采用以下步驟：

1).順序法和倒序法交替使用進行開溝腐蝕：

1-1).將芯片按順序分成N架，N為大于1的自然數；

1-2).將第1架芯片放入酸槽中進行第一次開溝，完畢后，取出第1架芯片，按此步驟，按順序分別將后續(xù)各架芯片放入酸槽中進行第一次開溝，直至第N架芯片第一次開溝完畢后；

1-3).將第N架芯片旋轉90度，在酸槽中進行第二次開溝，完畢后，取出第N架芯片，按此步驟，按倒序分別將后續(xù)各架芯片放入酸槽中進行第二次開溝，直至第1架芯片第二次開溝完畢后；

1-4).將第1架芯片繼續(xù)旋轉90度，在酸槽中進行第三次開溝，完畢后，取出第1架芯片，按此步驟，按順序分別將后續(xù)各架芯片放入酸槽中進行第三次開溝，直至第N架芯片第三次開溝完畢后；

1-5).將第N架芯片繼續(xù)旋轉90度，在酸槽中進行第四次開溝，完畢后，取出第N架芯片，按此步驟，按倒序分別將后續(xù)各架芯片放入酸槽中進行第四次開溝，直至第1架芯片第四次開溝完畢后；

2).將所有芯片按溝深分檔，分成M架，分別放入酸槽中開溝至要求深度，M為大于1的自然數，M與N相等或不等。

2.如權利要求1所述的一種優(yōu)序法的玻璃披覆鈍化芯片腐蝕方法，其特征在于在上述步驟2)的開溝中，按溝淺的芯片所在架至溝深的芯片所在架的順序依次進行開溝。

3.如權利要求1所述的一種優(yōu)序法的玻璃披覆鈍化芯片腐蝕方法，其特征在于在溝槽腐蝕之前，對芯片進行預處理，所述預處理方法為：在125℃-135℃的溫度下預烘烤，然后自然冷卻至室溫。