[發明專利]基于硅工藝的三維結構TM010-λ/4毫米波諧振器

無效

• 申請號: 200910100067.1
• 申請日: 2009-06-22
• 公開（公告）號: CN101582531A
• 公開（公告）日: 2009-11-18
• 發明（設計）人: 史治國;洪少華;王先鋒;陳俊豐;陳抗生
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: H01P7/00
• 分類號: H01P7/00;H03H11/00
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司
• 代理人: 林懷禹

1.一種基于硅工藝的三維結構TM010-λ/4毫米波諧振器，其特征在于：該 諧振器由硅基片層上的兩個以上有源電路(1)，封裝層上與有源電路(1)相應個數 的λ/4諧振器(2)，金屬圓柱(3)，工作在TM010模的包括第一導電金屬板(4a)、 圓柱波導(4b)和第二導電金屬板(4c)構成的圓柱波導諧振器(4)和用于功率輸出 的矩形波導(5)組成；每個有源電路(1)的兩個輸出端a、b與對應λ/4諧振器(2) 的兩個開路端在硅基片層與封裝層交界處進行連接，每個λ/4諧振器(2)的兩個 短路端與圓柱波導諧振器(4)在第一導電金屬板(4a)上連接，通過第一導電金屬板 (4a)上的槽縫(6)實現能量耦合，矩形波導(5)裝配在第一、第二導電金屬板(4a、 4c)之間，矩形波導(5)的一個矩形壁和圓柱波導(4b)外壁相交，相交的公共部分 去除以實現矩形波導(5)和圓柱波導(4b)的能量耦合。

2.根據權利要求1所述的一種基于硅工藝的三維結構TM010-λ/4毫米波諧 振器，其特征在于：所述的有源電路(1)為反相器對有源電路。

3.根據權利要求1所述的一種基于硅工藝的三維結構TM010-λ/4毫米波諧 振器，其特征在于：所述的有源電路(1)為交叉耦合對有源電路。

4.根據權利要求1所述的一種基于硅工藝的三維結構TM010-λ/4毫米波諧 振器，其特征在于：所述的有源電路(1)個數視輸出功率而定，輸出功率越大個 數越多。