[發明專利]在氮氣下鑄造氮濃度可控的摻氮多晶硅的方法無效
| 申請號： | 200910099996.5 | 申請日： | 2009-06-24 |
| 公開（公告）號： | CN101597792A | 公開（公告）日： | 2009-12-09 |
| 發明（設計）人： | 楊德仁;余學功;闕端麟 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | C30B28/06 | 分類號： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州天勤知識產權代理有限公司 | 代理人： | 胡紅娟 |
| 地址： | 310027浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮氣 鑄造 濃度 可控 多晶 方法 | ||
【權利要求書】：
1、在氮氣下鑄造氮濃度可控的摻氮多晶硅的方法，包括以下步驟：
(1)將多晶硅原料置于坩堝內，加入電活性摻雜劑，裝爐；其中，電活性摻雜劑為硼、鎵或磷；
(2)氬氣保護下將多晶硅原料及電活性摻雜劑加熱至完全融化，加熱溫度為硅熔點以上；
(3)將氬氣換成氮氣，氮氣的壓力為5～200Torr，流量為1～200L/min，以1～4mm/min的速度提升爐內保溫罩并冷卻坩鍋底部，定向凝固形成含氮濃度為1×1013～5×1015/cm3的摻氮多晶硅；
所述的電活性摻雜劑的加入量以形成的摻氮多晶硅中含有的硼、鎵或磷濃度為1×1015～1×1017/cm3計。
2、根據權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟(2)中，所述的加熱溫度為1420～1450℃。
3、根據權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟(3)中，所述的氮氣的壓力為80～150Torr，流量為60～120L/min。
4、根據權利要求1～3任一所述的方法得到的摻氮多晶硅，其特征在于：含有濃度為1×1015～1×1017/cm3的硼、鎵或磷，還含有濃度為1×1013～5×1015/cm3的氮。
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