[發明專利]一種鎵和鍺共摻的直拉硅單晶無效
| 申請號： | 200910099993.1 | 申請日： | 2009-06-24 |
| 公開（公告）號： | CN101597794A | 公開（公告）日： | 2009-12-09 |
| 發明（設計）人： | 楊德仁;余學功;闕端麟 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | C30B29/06 | 分類號： | C30B29/06;C30B15/04 |
| 代理公司： | 杭州天勤知識產權代理有限公司 | 代理人： | 胡紅娟 |
| 地址： | 310027浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 鍺共摻 直拉硅單晶 | ||
【權利要求書】：
1、一種鎵和鍺共摻的直拉硅單晶，其特征在于，含有濃度為1×1015～1×1017/cm3的鎵，并含有濃度為1×1016～5×1020/cm3的鍺。
2、如權利要求1所述的鎵和鍺共摻的直拉硅單晶，其特征在于，含有濃度為5×1015～5×1016/cm3的鎵，并含有濃度為1×1018～2×1020/cm3的鍺。
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