[發明專利]一種可去除含碳雜質的太陽能級硅晶體的制備方法

無效

• 申請號: 200910099619.1
• 申請日: 2009-06-11
• 公開（公告）號: CN101570888A
• 公開（公告）日: 2009-11-04
• 發明（設計）人: 李喬;馬遠
• 申請（專利權）人: 浙江碧晶科技有限公司
• 主分類號: C30B15/20
• 分類號: C30B15/20;C30B29/06
• 代理公司: 杭州天勤知識產權代理有限公司
• 代理人: 胡紅娟

1.一種可去除含碳雜質的太陽能級硅晶體的制備方法，其特征在于：

(1)將帶有含碳雜質的硅原料置入晶體提拉爐的石英坩堝內至熔化，使硅熔液與石英坩堝的SiO₂接觸，保持硅熔液溫度1500～1650℃，調整硅熔液表面的真空度為50～1100Pa使得含碳雜質與SiO₂的反應加速，并導致硅熔液表面出現由可揮發組分逸出導致的振幅在1.5～20mm，波長在2～80mm的波動，使生成的SiO和CO逸出；

(2)保持步驟(1)所述的真空度和硅熔液溫度15分鐘～6小時；

(3)控制硅熔液溫度在1410～1500℃之間，調節硅熔液表面真空度使硅熔液表面停止步驟(1)所述的波動，通過籽晶誘導制備硅晶體。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：步驟(2)中保持步驟(1)所述的真空度和硅熔液溫度30分鐘～6小時。