[發(fā)明專利]一種增強(qiáng)硅基二氧化鈦器件的電致發(fā)光的方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910099556.X | 申請(qǐng)日： | 2009-06-18 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101587931A | 公開（公告）日： | 2009-11-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 馬向陽(yáng);楊德仁;章圓圓;陳培良;闕端麟 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 浙江大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01L33/00 | 分類號(hào)： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 胡紅娟 |
| 地址： | 310027浙*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 增強(qiáng) 硅基二 氧化 器件 電致發(fā)光 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種增強(qiáng)硅基二氧化鈦器件的電致發(fā)光的方法，包括以下步驟：
1)將清洗后的電阻率為0.005-50歐姆·厘米的P型或N型硅作為硅襯底，在硅襯底上制備TiO2薄膜；
2)將覆有TiO2薄膜的硅襯底放入等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)室中，反應(yīng)室真空度抽至5×10-3Pa，通入Ar氣，在10Pa～80Pa壓強(qiáng)下，襯底溫度為100℃～400℃，對(duì)TiO2薄膜進(jìn)行Ar等離子處理，功率為20w～70w，時(shí)間為0.5h～3h；
3)在經(jīng)過Ar等離子處理后的TiO2薄膜上濺射透明ITO電極，在硅襯底背面沉積歐姆接觸電極。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：步驟2)中壓強(qiáng)為20Pa～30Pa，襯底溫度為300℃～400℃，功率為50w～55w，時(shí)間為1h～1.5h。
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