[發明專利]一種硅基氧化鋅納米棒陣列電抽運隨機激光器無效
| 申請號： | 200910099487.2 | 申請日： | 2009-06-10 |
| 公開（公告）號： | CN101588021A | 公開（公告）日： | 2009-11-25 |
| 發明（設計）人： | 馬向陽;潘景偉;陳培良;楊德仁 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | H01S5/30 | 分類號： | H01S5/30;H01S5/042;H01S5/06 |
| 代理公司： | 杭州天勤知識產權代理有限公司 | 代理人： | 胡紅娟 |
| 地址： | 310027浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氧化鋅 納米 陣列 抽運 隨機 激光器 | ||
1.一種硅基氧化鋅納米棒陣列電抽運隨機激光器，其特征在于：在硅襯底(1)的正面自下而上依次生長有ZnO薄膜(2)、ZnO納米棒陣列(3)、SiO2薄膜(4)和半透明電極(5)，在硅襯底背面沉積有歐姆接觸電極(6)。
2.根據權利要求1所述的硅基氧化鋅納米棒陣列電抽運隨機激光器，其特征在于：所述的ZnO納米棒陣列(3)的生長方向大致垂直于硅襯底(1)的正面。
3.根據權利要求1所述的硅基氧化鋅納米棒陣列電抽運隨機激光器，其特征在于：所述的半透明電極(5)為半透明Au電極。
4.一種硅基氧化鋅納米棒陣列電抽運隨機激光器的制備方法，包括以下步驟：
1)利用磁控濺射法在清洗后的n型硅片上沉積ZnO薄膜；
2)利用化學水浴沉積法在ZnO薄膜上生長ZnO納米棒陣列，然后在空氣氣氛下熱處理；
3)用溶膠-凝膠法在ZnO納米棒陣列上生長SiO2薄膜；
4)在SiO2薄膜上濺射半透明電極，在硅襯底背面濺射歐姆接觸電極。
5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于：步驟1)中，磁控濺射的溫度為100-600℃。
6.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于：步驟2)中，將長有ZnO薄膜的硅片豎直放置在硝酸鋅和六次甲基四胺的水溶液中生長ZnO納米棒陣列，硝酸鋅和六次甲基四胺的摩爾比為1∶1，硝酸鋅的濃度為0.005mol/L-0.1mol/L。
7.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于：步驟3)中，在已經制備好的ZnO納米棒陣列上旋涂硅溶膠后烘干，再在空氣氣氛下500-700℃熱處理，退火時升溫速率控制在1-20℃/min。
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