[發(fā)明專利]一種單壁納米碳管薄膜場發(fā)射顯示器及制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910099365.3 | 申請日: | 2009-06-04 |
| 公開(公告)號: | CN101577204A | 公開(公告)日: | 2009-11-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王淼;楊輝;李振華;尚學(xué)府;曲紹興;顧智企 | 申請(專利權(quán))人: | 浙江大學(xué) |
| 主分類號: | H01J31/12 | 分類號: | H01J31/12;H01J9/00;C01B31/00 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 | 代理人: | 張法高 |
| 地址: | 310027*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 納米 薄膜 發(fā)射 顯示器 制備 方法 | ||
1.一種單壁納米碳管薄膜場發(fā)射顯示器,其特征在于包括前玻板(1)、前玻板選址電極(2)、熒光粉(3)、封接框(4)、單壁納米碳管薄膜(5)、后玻板選址電極(6)、后玻板(7)、消氣劑(8)、排氣管(9),前玻板(1)與后玻板(7)之間的四周由封接框(4)固定,構(gòu)成一個(gè)空腔,前玻板(1)內(nèi)壁上依次設(shè)有前玻板選址電極(2)、熒光粉(3),后玻板(7)內(nèi)壁上依次設(shè)有單壁納米碳管薄膜(5)、后玻板選址電極(6),空腔底部設(shè)有排氣管(9),排氣管(9)內(nèi)設(shè)有消氣劑(8)。
2.一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的單壁納米碳管薄膜場發(fā)射顯示器的制備方法,其特征在于包括如下步驟:
1)在電弧放電真空室(10)中安裝有兩塊平行放置的上石墨板(11)、下石墨板(14),上石墨板(11)與下石墨板(14)之間距離為50~300mm,石墨板內(nèi)側(cè)表面的粗糙度Ra為3μm,在上石墨板內(nèi)側(cè)的中心垂直安裝有石墨棒陰極(12),在下石墨板內(nèi)側(cè)的中心垂直安裝有石墨棒陽極(13),石墨棒陽極和石墨棒陰極的直徑為6~10mm,石墨棒陽極和石墨棒陰極分別與直流電源(17)正、負(fù)極相連接,電弧放電真空室(10)與真空泵相連接;
2)將鍍有透明的X方向氧化銦錫薄膜條狀電極的后玻板用導(dǎo)電膠粘連在上石墨極板,抽去電弧放電真空室中空氣,壓強(qiáng)為10-2~10-3Pa,充入高純氦氣或氬氣和氫氣的混合氣體,壓強(qiáng)為100~300Torr,調(diào)整石墨棒陽極和石墨棒陰極之間的距離為2~3mm,在兩石墨電極間接通直流電源,電流強(qiáng)度為60~100A,使之實(shí)施電弧放電,放電時(shí)間20~100s,在鍍有氧化銦錫薄膜條狀電極的后玻板(7)的表面上形成單壁納米碳管薄膜。
3)用金剛石刻刀在后玻板(7)的單壁納米碳管薄膜上平行刻劃成與電極寬度相同的條形,復(fù)蓋電極;
4)在鍍有透明的Y方向氧化銦錫薄膜條狀電極的前玻板上涂復(fù)熒光粉涂層;
5)將前玻板(1)和后玻板(7)正交對置控制間距0.15~0.45mm,用低熔點(diǎn)玻璃粉制成的封接框熔封兩玻板四周邊;在排氣管中放入金屬環(huán)狀吸氣劑,用低熔點(diǎn)玻璃粉熔封于顯示器后部;
6)經(jīng)排氣管抽去前后兩玻板與由低熔點(diǎn)玻璃粉封接框熔封四周構(gòu)成空腔中的空氣,使內(nèi)部氣體壓強(qiáng)為10-2~10-3Pa,然后封離排氣裝置;
7)將顯示器加熱至500~520℃,保溫時(shí)間10~20分鐘,以激活吸氣劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種單壁納米碳管薄膜場發(fā)射顯示器的制備方法,其特征在于所述的消氣劑為鋯鋁合金非蒸散型消氣劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種單壁納米碳管薄膜場發(fā)射顯示器的制備方法,其特征在于所述的發(fā)光材料是專用場發(fā)射熒光粉。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種單壁納米碳管薄膜場發(fā)射顯示器的制備方法,其特征在于所述的石墨棒陽極內(nèi)含有Fe、Ni、Y或Mo中的一種或兩種。
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