[發明專利]一種高精度陶瓷球高效研磨/拋光加工工藝

無效

• 申請號: 200910099280.5
• 申請日: 2009-06-01
• 公開（公告）號: CN101704208A
• 公開（公告）日: 2010-05-12
• 發明（設計）人: 袁巨龍;范紅偉;呂冰海;王志偉
• 申請（專利權）人: 浙江工業大學;湖南大學
• 主分類號: B24B11/06
• 分類號: B24B11/06;B24B29/04;C09K3/14
• 代理公司: 杭州天正專利事務所有限公司 33201
• 代理人: 王兵;王利強

1.一種高精度陶瓷球高效研磨/拋光加工工藝，其特征在于：所述加工工藝包括以下步驟：

(1)、粗研加工，其工藝條件為：

磨料：金剛石或B₄C或SiC；磨料的粒度：W40～W20；磨料在研磨盤中的質量百分比為20％～80％；載荷壓力：8～15N/球；研磨液：水；

(2)、半精研加工，其工藝條件為：

磨料：金剛石或B₄C或SiC；磨料的粒度：W20～W10；磨料在研磨盤中的質量百分比為20％～80％；載荷壓力：6～10N/球；研磨液：水；

(3)、精研加工，其工藝條件為：

載荷壓力：2～5N/球；磨料：金剛石或B₄C或SiC；磨料的粒度：W10～W5；磨料的質量百分數：10％～30％；基液：煤油，基液的質量百分數：60％～80％；添加劑為潤滑油，潤滑油的質量百分數：4％～7％；分散劑的質量百分數：3％～6％。

(4)、超精研加工，其工藝條件為：

載荷壓力：1～2N/球；磨料：金剛石或B₄C或SiC；磨料的粒度：W2～W0.5；磨料的質量百分數：10％～25％；基液：煤油；基液的質量百分數：65％～80％；添加劑為潤滑油，潤滑油的質量百分數：4％～7％；分散劑的質量百分數：3％～6％。

(5)、拋光加工，其工藝條件為：

載荷壓力：0.5～1N/球；磨料：CeO₂微粉；磨料的粒度：500；磨料的質量百分數：5％～20％；基液：煤油；基液的質量百分數：70％～85％；添加劑為潤滑油，潤滑油的質量百分數：4％～7％；分散劑的質量百分數：3％～6％。

2.如權利要求1所述的高精度陶瓷球高效研磨/拋光加工工藝，其特征在于：所述步驟(1)-(2)中采用雙盤自轉偏心V形槽研磨機，上研磨盤和下研磨盤上下布置，所述下研磨盤上表面開有至少三條以上供放置球坯的V型槽，所述的各條V型槽為同心圓，所述同心圓的圓心與下研磨盤的圓心重合，所述上研磨盤與下研磨盤相互偏心，載荷加壓裝置通過上研磨盤作用于球坯，所述上研磨盤和下研磨盤分別由電機驅動，轉速組合：上研磨盤Ω_C：60～80(rpm)；下研磨盤轉速Ω_B：Ω_B＝Ωc。

3.如權利要求1所述的高精度陶瓷球高效研磨/拋光加工工藝，其特征在于：所述步驟(3)-(5)中采用雙自轉研磨盤研磨機，由下研磨盤內盤外側的錐面研磨面和下研磨盤外盤內側的錐形研磨面構成V形槽結構，載荷加壓裝置通過上研磨盤作用于球坯，所述的V形槽結構和上研磨盤一起構成研磨球的三個加工接觸點，所述上研磨盤、下研磨盤外盤和下研磨內盤具有相同的回轉軸；在所述的上研磨盤、下研磨盤外盤和下研磨內盤中，其中兩個盤的轉軸分別由電機驅動，兩個盤的轉速為Ω_B和Ωc；轉速組合：Ω_C：40～60rpm；Ω_B：Ω_B＝3Ω_C?sin(0.01πt)。

4.如權利要求2所述的高精度陶瓷球高效研磨/拋光加工工藝，其特征在于：所述雙盤自轉偏心V形槽研磨機的研磨盤采用固著磨料研磨盤。

5.如權利要求3所述的高精度陶瓷球高效研磨/拋光加工工藝，其特征在于：所述雙自轉研磨盤研磨機的研磨盤采用鑄鐵研磨盤。