[發明專利]適用于高方阻的低溫燒結技術無效

申請號：	200910099023.1	申請日：	2009-06-04
公開（公告）號：	CN101908577A	公開（公告）日：	2010-12-08
發明（設計）人：	胡本和	申請（專利權）人：	胡本和
主分類號：	H01L31/18	分類號：	H01L31/18;F27B5/02
代理公司：	浙江翔隆專利事務所 33206	代理人：	戴曉翔;胡龍祥
地址：	333100 江西省鄱***	國省代碼：	江西;36
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摘要：
搜索關鍵詞：	適用于高方阻低溫燒結技術
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【權利要求書】：

1.適用于高方阻的低溫燒結技術，其特征是：將欲擴散的方塊電阻調節至66～75歐姆之間，將銀漿按照0.4～0.6克的濕重印刷在方塊電阻上，再將印刷了銀漿的方塊電阻以3000～5000mm/min的速度穿越200～450℃的低溫燒結爐進行燒結。

2.根據權利要求1所述的適用于高方阻的低溫燒結技術，其特征是所述的低溫燒結爐分為連續的10段溫區，1～3段溫區為烘干區，4～6段溫區位玻璃熔融區，7～10段溫區為快速燒結區，第1段溫區至第10段溫區的溫度依次設定為200℃、250℃、300℃、300℃、330℃、380℃、400℃、410℃、420℃、430℃。

3.根據權利要求1所述的適用于高方阻的低溫燒結技術，其特征是對銀漿濕重的控制通過調節絲網間距和印刷壓力實現。

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