[發明專利]一種真空滅弧室觸頭

有效

• 申請號: 200910098818.0
• 申請日: 2009-05-15
• 公開（公告）號: CN101552153A
• 公開（公告）日: 2009-10-07
• 發明（設計）人: 褚翔;張玉潔;褚永明
• 申請（專利權）人: 寧波晟光電氣有限公司
• 主分類號: H01H33/664
• 分類號: H01H33/664;H01H9/44
• 代理公司: 杭州豐禾專利事務所有限公司
• 代理人: 王曉峰

技術領域

本發明涉及一種真空滅弧室，尤其涉及一種真空滅弧室觸頭。

背景技術

真空滅弧室是真空開關的關鍵元件，擔負著控制電弧的任務，電路的切斷與關合都靠真空滅弧室中的觸頭來完成。為了提高真空滅弧室的短路電流開斷能力，采用了真空電弧的磁場控制技術。目前大電流真空電弧的磁場控制技術有兩種，橫向磁場控制技術和縱向磁場控制技術。橫向磁場的方向與電弧弧柱垂直，磁場與電弧電流作用產生的安培力驅動真空電弧在觸頭表面快速旋轉，減輕對觸頭表面的燒蝕，使真空開關的開斷能力增強；縱向磁場的方向與電弧弧柱軸線方向一致，對真空電弧施加縱向磁場后，真空電弧在大電流下仍保持擴散狀態，減輕對觸頭表面的燒蝕，同時電弧能量降低，因此縱向磁場可提高形成陽極斑點的臨界電流值，提高開斷能力。

在縱向磁場控制技術中常見的觸頭結構有線圈式縱磁觸頭，杯狀縱磁觸頭等等，其中線圈式縱磁觸頭具有磁場強度強，開斷電流大，開斷性能穩定，但觸頭和觸頭座接觸面積較小，導電回路接觸電阻較大，易滿足小額定電流的需要，因此線圈式縱磁觸頭廣泛應用在小額定電流的真空滅弧室中。

在大額定電流的真空滅弧室中一般都采用杯狀縱向磁場結構，杯狀縱向磁場結構，包括觸頭座，所述觸頭座包括觸頭座底板、觸頭座底板上方設置有以觸頭座底板為底面的空腔，所述觸頭座上端面上設置有觸頭，所述空腔內容置有觸頭支撐，所述觸頭支撐上、下兩端分別頂靠在觸頭的下端面、觸頭座底板的上端面，用于導電桿進出的通孔貫穿觸頭座、觸頭支撐、觸頭，所述觸頭座的側壁上設置有沿觸頭座的側壁螺旋上升的6條旋弧槽，所述旋弧槽起始端與終止端在水平面上的投影角度≤90°，眾所周知，旋弧槽起始端與終止端在水平面上的投影角度越大，其磁場強度越大，開斷能力越強，但是如果將旋弧槽起始端與終止端在水平面上的投影角度增大，而觸頭的高度是不變的，那么必然導致旋弧槽之間的間隙減小，由于觸頭在工作中要承受大于2kN的力，旋弧槽之間的間隙過小，在如此大的力的沖擊下，旋弧槽易被擠壓，造成旋弧槽上、下端面合在一起，從而導致磁場消失，開斷能力急劇下降，導致發生嚴重的安全事故。

綜上所述可知，現有技術中的觸頭還存在抗沖擊能力差，旋弧槽起始端與終止端在水平面上的投影角度α角度小，磁場強度弱，導致開斷能力差等缺點。

發明內容

本發明針對現有技術中的不足，提供了一種真空滅弧室觸頭，該觸頭抗沖擊能力強，旋弧槽起始端與終止端在水平面上的投影角度α角度大，磁場強度強，開斷性能穩定。

為了解決上述技術問題，本發明通過下述技術方案得以解決：

一種真空滅弧室觸頭，包括觸頭座，所述觸頭座包括觸頭座底板、觸頭座底板上方設置有以觸頭座底板為底面的空腔，所述觸頭座上端面上設置有觸頭，所述空腔內容置有聚磁環、觸頭支撐，所述聚磁環、觸頭支撐上、下兩端分別頂靠在觸頭的下端面、觸頭座底板的上端面，用于導電桿進出的通孔貫穿觸頭座、觸頭支撐、觸頭，所述觸頭座的側壁上設置有沿著側壁螺旋上升的旋弧槽，所述旋弧槽為4條，并且旋弧槽起始端與終止端在水平面上的投影角度α為115～125°。

上述技術方案中，所述聚磁環橫截面為具有一開口的圓環。

上述技術方案中，所述觸頭上端面上開設有通槽。

上述技術方案中，所述通槽開設有四條，并呈“十”字形排列。

上述技術方案中，所述旋弧槽起始端與終止端在水平面上的投影角度α為120°。

有益效果：本發明與現有技術相比，具有如下有益效果：

1)本發明由于將旋弧槽調整為4條，這樣觸頭就具有較大的抗沖擊能力，將旋弧槽起始端與終止端在水平面上的投影角度α增大，大大提高了磁場強度，具有開斷能力強，開斷性能穩定等優點。

2)本發明由于開斷能力強，同樣的電壓、電流等級可以將觸頭體積減少，從而使整個真空滅弧室小型化，小型化的真空滅弧室體積小、重量輕，制造成本低，具有良好的經濟效益。

附圖說明

圖1為真空滅弧室觸頭安裝于真空滅弧室的結構示意圖

圖2為真空滅弧室觸頭剖視圖

圖3為觸頭座結構示意圖

圖4為圖3所示觸頭座的俯視圖

圖5為觸頭的俯視圖

圖6為聚磁環的俯視圖

具體實施方式

下面結合附圖與具體實施方式對本發明作進一步詳細描述：

見圖1～圖6，真空滅弧室觸頭安裝于真空滅弧室中，來完成電路的切斷與關合，所述真空滅弧室觸頭主要由觸頭座1，觸頭2、觸頭支撐4等構成。