[發明專利]一種在陶瓷閥芯表面沉積防護薄膜的方法

有效

• 申請號: 200910098711.6
• 申請日: 2009-05-14
• 公開（公告）號: CN101550539A
• 公開（公告）日: 2009-10-07
• 發明（設計）人: 汪愛英;孫麗麗;代偉;吳國松
• 申請（專利權）人: 中國科學院寧波材料技術與工程研究所
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/06
• 代理公司: 寧波誠源專利事務所有限公司
• 代理人: 袁忠衛

1.一種在陶瓷閥芯表面沉積防護薄膜的方法，所采用的鍍膜機包括真空室、磁控濺射源、線性離子源和兼具公轉和自轉的工件托架，工件托架安裝在真空室內部，其特征在于：包括如下步驟：

(1)、將陶瓷閥芯先在丙酮溶液中進行超聲清洗，再在酒精溶液中進行超聲清洗，干燥后，懸掛固定于工件托架上，使磁控濺射源與線性離子源環繞在陶瓷閥芯周圍；

(2)、在磁控濺射源上安裝由過渡金屬制成的金屬靶，將真空室抽真空至小于2.0×10^-5Torr后，通入惰性氣體，開啟線性離子源，調整陶瓷閥芯的負偏壓為0～300V，對陶瓷閥芯進行離子轟擊，工作時間為5～40分鐘后，關閉線性離子源；

(3)、對陶瓷閥芯進行第一層薄膜沉積，調整陶瓷閥芯的負偏壓為-50～-200V，開啟磁控濺射源電源，調整磁控濺射源的工作電流為2～3A，通入惰性氣體，工作時間為：10～15分鐘；

(4)、對陶瓷閥芯進行第二層薄膜沉積，保持步驟(3)中的工作條件不變，立刻啟動線性離子源，調整線性離子源的工作電流為0.1～0.2A；同時通入含碳氣源，工作時間為10～15分鐘；

(5)、對陶瓷閥芯進行第三層薄膜沉積，設置線性離子源的工作電流為0.1～0.2A，線性離子源的工作電壓為：1000～1300V，調整陶瓷閥芯的負偏壓為-50～-200V，工作時間為：60～100分鐘。

2.根據權利要求1所述的在陶瓷閥芯表面沉積防護薄膜的方法，其特征在于：所述步驟(2)中過渡金屬為鉻或鈦或鎢。

3.根據權利要求1或2所述的在陶瓷閥芯表面沉積防護薄膜的方法，其特征在于：所述步驟(4)中通入的含碳氣源為甲烷或乙炔。