[發(fā)明專利]一種太陽(yáng)能硅單晶的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910098437.2
• 申請(qǐng)日: 2009-05-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101565851A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-10-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐國(guó)六
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江金西園科技有限公司
• 主分類號(hào): C30B15/20
• 分類號(hào): C30B15/20;C30B29/06
• 代理公司: 杭州九洲專利事務(wù)所有限公司
• 代理人: 王洪新

1.一種太陽(yáng)能硅單晶的制作方法，其特征在于：利用廢棄的多晶硅下腳料作為主要原料 來(lái)制備太陽(yáng)能硅單晶，其制作方法包括以下步驟：

第一步：首先對(duì)多晶硅下腳料進(jìn)行分類：

(1)將多晶硅下腳料的頭尾料、堝底料、廢片料分別放置，

(2)將分置好的多晶硅下腳料按檢測(cè)類別及電阻率高低進(jìn)行分類，分為：

N型??電阻率：0.5Ω.cm以下，0.5～1.6Ω.cm，1.6～6Ω.cm及＞6Ω.cm四檔；

P型??電阻率：0.5Ω.cm以下，0.5～1.6Ω.cm，1.6～6Ω.cm及＞6Ω.cm四檔；

(3)清洗：將分類好的多晶硅下腳料用酸性溶液清洗浸泡一段時(shí)間后，去掉表面雜質(zhì)， 再用大于15兆的去離子水漂洗10～15分鐘；

(4)干燥：將完成表面清洗的多晶硅下腳料進(jìn)行表面干燥；

第二步：將多晶硅下腳料投入坩堝內(nèi)進(jìn)行拉制：

(1)將上述完成表面清洗、干燥的頭尾料、堝底料、廢片料進(jìn)行合理的配比后投入單晶 爐的石英坩堝中，頭尾料、堝底料、廢片料之間的重量配比為：6∶5∶1；

(2)將多晶硅下腳料裝入單晶爐后，抽真空、加氬氣后，分3～4次升溫到1600℃，硅 料完全熔化后，靜置揮發(fā)1.5～2.5h，啟動(dòng)堝轉(zhuǎn)0.5～1h，停止堝轉(zhuǎn)，再揮發(fā)0.5～1h后，進(jìn) 行試?yán)疲?

(3)a、若試?yán)瞥晒Γ葴y(cè)量試?yán)频玫降男《螁尉О舻碾娮杪剩娮杪史弦螅? 進(jìn)行正常的拉制，得到最終的太陽(yáng)能硅單晶；

b、若由于雜質(zhì)過(guò)多、引晶不成功，先拉制一小段多晶棒，粘掉雜質(zhì)，重新靜置揮發(fā)0.5～ 2小時(shí)后，再進(jìn)行正常拉制；若再次引晶不成功，直接將拉制得到的多晶棒敲碎后重新酸洗、 配比，重新投爐；

所述的酸性溶液由濃度為40％～47％的氫氟酸和濃度65％～68％硝酸混合而成，其中氫氟酸 和硝酸的重量比為1∶5～6；

所述的頭尾料先在酸性溶液中浸潤(rùn)2～5分鐘，并翻動(dòng)；取出硅料，在純水中翻動(dòng)漂洗 10～15分鐘；用水沖洗酸洗籃里的硅料，待PH值回復(fù)到7，取出硅料烘干；

所述堝底料先在酸性溶液中浸潤(rùn)5～12分鐘，并翻動(dòng)；取出硅料，在純水中翻動(dòng)漂洗10～ 15分鐘；用水沖洗酸洗籃里的硅料，待PH值回復(fù)到7，取出硅料烘干；

所述的片料先用水充分沖洗，去除固體雜質(zhì)；再將清洗過(guò)的片料在酸性溶液中翻動(dòng)1～3 分鐘后取出，用清水漂洗、沖洗后烘干。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽(yáng)能硅單晶的制作方法，其特征在于：經(jīng)靜置揮發(fā)后的 多晶硅下腳料堝轉(zhuǎn)，坩堝轉(zhuǎn)動(dòng)速度為5～7rad/s。