[發明專利]太陽能級硅晶體的制備及提純方法無效
| 申請號： | 200910098370.2 | 申請日： | 2009-05-11 |
| 公開（公告）號： | CN101545135A | 公開（公告）日： | 2009-09-30 |
| 發明（設計）人： | 李喬;馬遠 | 申請（專利權）人： | 浙江碧晶科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/02 | 分類號： | C30B15/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州天勤知識產權代理有限公司 | 代理人： | 胡紅娟 |
| 地址： | 312300浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 太陽 能級 晶體 制備 提純 方法 | ||
1.一種太陽能級硅晶體的制備及提純方法，其特征在于，在晶體提拉爐內，采用石墨材料的坩堝作為與硅原料直接接觸的容器：
(1)加熱使石墨坩堝內的硅原料熔化，在硅熔液溫度1500～2000℃，硅熔液表面真空度0～500Pa條件下蒸發雜質1小時或以上；
(2)控制硅熔液溫度在1410～1500℃之間，通過籽晶誘導制備硅晶體；
(3)當石墨坩堝內的硅熔液的殘余質量為0.1～3.5KG時，升溫至1600～1850℃，硅熔液表面的真空度控制在0～5Pa，蒸發硅熔液中余下的易揮發雜質；
(4)降溫但保持石墨坩堝內溫度800℃以上，向石墨坩堝中加入下一批硅原料；
(5)重復步驟(1)～步驟(4)的操作連續生產。
2.如權利要求1所述的制備及提純方法，其特征在于：步驟(1)中在硅熔液溫度1550～1850℃，硅熔液表面真空度0～5Pa條件下蒸發雜質。
3.如權利要求1所述的制備及提純方法，其特征在于：步驟(3)中所述的硅熔液的殘余質量為0.1～1.5KG。
4.如權利要求1所述的制備及提純方法，其特征在于：所述的石墨材料為等靜壓石墨材料或炭炭復合石墨材料。
5.如權利要求1所述的制備及提純方法，其特征在于：所述的硅晶體包括硅單晶和硅多晶。
6.如權利要求1所述的制備及提純方法，其特征在于：步驟(4)降溫但保持石墨坩堝內溫度1200℃以上，向石墨坩堝中加入下一批硅原料。
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