[發明專利]一種新型金屬化聚丙烯薄膜電容器無效
| 申請號: | 200910098212.7 | 申請日: | 2009-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN101604576A | 公開(公告)日: | 2009-12-16 |
| 發明(設計)人: | 楊文榮 | 申請(專利權)人: | 楊文榮 |
| 主分類號: | H01G4/33 | 分類號: | H01G4/33;H01G4/32;H01G4/002 |
| 代理公司: | 杭州華鼎知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人: | 胡根良 |
| 地址: | 313119浙江省長興縣槐坎鄉工*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 新型 金屬化 聚丙烯 薄膜 電容器 | ||
技術領域
本發明涉及電子元件領域中的電容器類,具體說是一種新型金屬化聚丙烯薄膜電容器。
背景技術
傳統薄膜電容器的結構大都由金屬化雙留邊蒸鍍聚丙膜為電極,聚丙膜作為介質通過無感式卷繞而成,其中兩個串聯鋁箔間的間隙較大,一般都在3mm以上,造成電容器容量有效面積減小;雙留邊蒸鍍聚丙膜的留邊距離在1.5mm以上,體積腳距僅局限于10mm,材料浪費;電容器采用雙面蒸鍍聚丙膜作為電極,在蒸鍍聚丙膜中,帶有灰粒子,雜質等,經高電壓后,會產生“自愈”現象,容量減小,端面受接觸電阻影響,不能承受大的電流,而且錫層易脫落,使電容失效。
發明內容
本發明所要解決的的問題就是針對現有薄膜電容器的體積大,穩定性差及電容器耗材高,容量小的缺點,提供一種結合了有感電容器和無感電容器的不同優點,耐壓更高,絕緣電阻大,使用頻率高的新型金屬化聚丙烯薄膜電容器。
為了解決上述技術問題,本發明采用如下技術方案:一種新型金屬化聚丙烯薄膜電容器,其特征在于:由第一聚丙烯膜,第二聚丙烯膜及雙留邊蒸鍍聚丙烯膜依次疊合連接而成,第一聚丙烯膜左半部分的下側面及右半部分的上側面分別設有金屬箔作為電極。
進一步的,所述的電容器由第一聚丙烯膜,第二聚丙烯膜及雙留邊蒸鍍聚丙烯膜依次疊合并以串聯無感方式繞卷而成。
進一步的,兩片金屬箔間的間隙L為1mm-1.45mm。
優選的,所述的金屬箔為鋁箔,經熱壓機輕壓,增加鋁箔面積,所用SZSC含錫65%,噴2次,增加厚度0.1-0.2mm,既節省了錫絲,又節省了時間。
進一步的,所述的雙留邊聚丙烯膜由聚丙烯膜及在聚丙烯膜表面所蒸鍍的金屬層組成,金屬層兩端與聚丙烯膜兩端留有間距,即留邊距離H為0.7mm-1.3mm。
進一步的,所述的聚丙烯膜采用創斯普膜,耐高溫、方阻小。
本發明采用了雙留邊聚丙烯與鋁箔組合,串聯式組成,結合有感電容與無感電容的優點;多使用了一層介質,增大了耐壓,雖然介質厚度稍大,但兩個串聯鋁箔的間隙由原來的4mm減小到1mm-1.45mm,容量有效面積增大,容量體積比就變小了許多,相應的電容器體積減小;本發明與有感電容器相比它的耐壓高提高了三倍,絕緣電阻大,使用頻率高;與無感電容器相比它可以承受大電流沖擊,比傳統的薄膜電容器用材要省很多,設備投資小,產量高,使用范圍很廣,是一個理想的電容器。
附圖說明
下面結合附圖對本發明作進一步的說明:
圖1為本發明的卷繞剖面結構示意圖。
具體實施方式
如圖1所示的本發明的卷繞剖面結構示意圖,一種新型金屬化聚丙烯薄膜電容器,該電容器第一聚丙烯膜1,第二聚丙烯膜2及雙留邊蒸鍍聚丙烯膜3疊合并通過串聯無感方式繞卷而成,第一聚丙烯膜1半部分的下側面及右半部分的上側面分別設有金屬箔4作為電極,雙留邊聚丙烯膜3由聚丙烯膜31及在聚丙烯膜31表面所蒸鍍的金屬層32組成,金屬層32兩端與聚丙烯膜31兩端留有間距,間距距離H為0.7mm-1.3mm,可以選擇為0.8mm、1mm或者1.2mm,優選為1.2mm,而兩片金屬箔4間的間隙L為1mm-1.45mm,可以選擇1.1mm、1.2mm或者1.4mm,尤其是1.2mm可以實現,使電容器到達最佳的使用效果。
作為本發明的一個優選方案,金屬層32兩側與聚丙烯膜31兩側留有的間距為1.2mm,兩片金屬箔4間的間隙L為1.2mm,傳統薄膜電容器的留邊間距為1.5mm,電極材料寬10mm,去除兩側留邊6mm,余正對面積4mm,但在本發明的優選方案中電容器在電極材料寬10mm,去掉3×1.2,余正對面積6.4mm,比傳統的4mm多2.4mm,就是說同樣的材料,本發明比傳統的薄膜電容器容量大了60%,本發明電容器的容量范圍為100PF-223PF,而傳統薄膜電容器的容量范圍為1000PF-8200PF,所以在相等的容量下,新型電容器體積要小很多。
所述的金屬箔4為鋁箔,經熱壓機輕壓,增加鋁箔面積,所用SZSC含錫65%,噴2次,增加厚度0.1-0.2mm,既節省了錫絲,又節省了時間,能承受大電流。所述的聚丙烯膜31即基膜采用創斯普膜或泉州嘉得利膜,耐高溫130℃,方阻值為1.8-2.2Ω。
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