[發(fā)明專利]光控平板式硅光子晶體太赫茲波調制裝置及其方法

無效

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• 申請日: 2009-04-23
• 公開（公告）號: CN101546047A
• 公開（公告）日: 2009-09-30
• 發(fā)明（設計）人: 李九生
• 申請（專利權）人: 中國計量學院
• 主分類號: G02F1/00
• 分類號: G02F1/00;H04B10/155
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司
• 代理人: 張法高

1.一種光控平板式硅光子晶體太赫茲波調制裝置，其特征在于包括硅片(1)、空氣孔(2)、可調制的半導體激光器(3)、太赫茲波源(4)、線缺陷區(qū)輸入端(5)、線缺陷區(qū)輸出端(6)、線缺陷區(qū)(7)，硅片(1)上中間設有線缺陷區(qū)(7)，在線缺陷區(qū)(7)兩側的硅片(1)上開有空氣孔(2)，由硅片(1)、空氣孔(2)、和線缺陷區(qū)(7)構成平板式硅光子晶體，在線缺陷區(qū)(7)的上方設有可調制的半導體激光器(3)，由太赫茲波源(4)發(fā)出的太赫茲波由線缺陷區(qū)輸入端(5)輸入，通過線缺陷區(qū)(7)，經線缺陷區(qū)輸出端(6)輸出。

2.根據權利要求1所述的一種光控平板式硅光子晶體太赫茲波調制器裝置，其特征在于所述的硅片(1)的折射率為3.4～3.8，硅片厚度0.4～1.0mm，硅片的電阻率1000～10000Ωcm。

3.根據權利要求1所述的一種光控平板式硅光子晶體太赫茲波調制器裝置，其特征在于所述的空氣孔(2)的半徑為40～200μm，空氣孔(2)的周期為80～250μm。

4.根據權利要求1所述的一種光控平板式硅光子晶體太赫茲波調制器裝置，其特征在于所述的線缺陷區(qū)(7)的寬度為1～5個空氣孔(2)的周期。

5.根據權利要求1所述的一種光控平板式硅光子晶體太赫茲波調制器裝置，其特征在于所述的可調制的半導體激光器(3)的工作波長為680～900nm，功率5～500mW，調制速度為50KHz/s～1GHz/s。

6.根據權利要求1所述的一種光控平板式硅光子晶體太赫茲波調制器裝置，其特征在于所述的太赫茲波源(1)為返波振蕩器BWO。

7.一種使用如權利要求1所述裝置的光控平板式硅光子晶體太赫茲波調制方法，其特征在于可調制的半導體激光器(3)不發(fā)出激光時，由硅片(1)、空氣孔(2)、和線缺陷區(qū)(7)構成平板式硅光子晶體具有光子禁帶；當可調制的半導體激光器(3)發(fā)出激光照射到線缺陷區(qū)(7)時，平板式硅光子晶體的折射率發(fā)生改變，平板式硅光子晶體的光子禁帶產生平移，禁帶邊緣發(fā)生改變；利用平板式硅光子晶體的禁帶邊緣來調制太赫茲波，實現(xiàn)把信號加載到太赫茲波上。