[發明專利]一種鎢酸鎘晶體及其制備方法無效
| 申請號： | 200910097707.8 | 申請日： | 2009-04-14 |
| 公開（公告）號： | CN101538739A | 公開（公告）日： | 2009-09-23 |
| 發明（設計）人： | 夏海平;王金浩;虞燦;羅彩香;陳紅兵 | 申請（專利權）人： | 寧波大學 |
| 主分類號： | C30B29/32 | 分類號： | C30B29/32;C30B11/00 |
| 代理公司： | 寧波奧圣專利代理事務所（普通合伙） | 代理人： | 程曉明 |
| 地址： | 315211浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 鎢酸鎘 晶體 及其 制備 方法 | ||
1、一種鎢酸鎘晶體，其特征在于為CdWO4單晶中摻有0.1～2.0mol％的Bi離子的Bi:CdWO4晶體。
2、如權利要求1所述的鎢酸鎘晶體的制備方法，其特征在于包括以下具體步驟：
(1)將CdO和WO3原料分別單獨放置于鉑金或Al2O3剛玉坩鍋中，經馬弗爐焙燒，焙燒溫度250～500℃，時間2～4h；
(2)將焙燒后的CdO和WO3按摩爾比1∶1置于碾磨器中，碾磨混合2～6h，然后在壓強為9.8×107～9.8×108帕的條件下，把混合粉體壓制成致密塊體；
(3)將上述致密塊體放于鉑金坩鍋中，在1000～1200℃溫度下，燒結2～8小時，得到CdWO4多晶粉料；
(4)將CdWO4多晶粉料置于碾磨器磨成粉末，按Bi離子摻入量為0.1～2.0mol.％加入Bi2O3，碾磨混合10～12h，得到摻有Bi離子的CdWO4多晶粉末；
(5)把摻有Bi離子的多晶粉末壓實后置于鉑金坩堝中，密封鉑金坩堝；
(6)將密封的鉑金坩堝置于硅鉬棒爐中，用坩堝下降法生長晶體，生長晶體的爐體溫度為1330～1380℃，接種溫度為1280～1300℃，生長區域溫度梯度為20～40℃，下降速度為0.5～2mm/h，待晶體生長結束后，以20～80℃/h下降爐溫至室溫，得到Bi:CdWO4晶體。
3、根據權利要求1所述的鎢酸鎘晶體，其特征在于所述的WO3，CdO，Bi2O3均為99.99wt％以上。
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