[發(fā)明專利]帶門極電阻布局的功率MOSFET模塊有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910097414.X | 申請日： | 2009-04-02 |
| 公開（公告）號： | CN101582394A | 公開（公告）日： | 2009-11-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 金曉行;劉志宏;胡少華;朱翔;李馮;沈華 | 申請（專利權(quán)）人： | 嘉興斯達(dá)微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/12 | 分類號： | H01L23/12;H01L23/488;H01L27/088 |
| 代理公司： | 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 | 代理人： | 沈志良 |
| 地址： | 314000浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 帶門極 電阻 布局 功率 mosfet 模塊 | ||
1.一種帶門極電阻布局的功率MOSFET模塊，包括基板、直接敷銅基板、功率MOSFET芯片和功率端子，基板和直接敷銅基板通過釬焊結(jié)合，門極電阻、功率MOSFET芯片和直接敷銅基板之間通過釬焊結(jié)合，其特征在于基板上釬焊有兩組四塊直接敷銅基板，每塊直接敷銅基板都由門極、源極和漏極組成，基板上的四塊直接敷銅基板呈方形排布，其中左上直接敷銅基板和右上直接敷銅基板、左下直接敷銅基板和右下直接敷銅基板的結(jié)構(gòu)相同，左上直接敷銅基板和左下直接敷銅基板是鏡像對稱，右上直接敷銅基板和右下直接敷銅基板是鏡像對稱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶門極電阻布局的功率MOSFET模塊，其特征在于直接敷銅基板的邊側(cè)區(qū)域為門極，左上直接敷銅基板的門極和左下直接敷銅基板的門極、右上直接敷銅基板的門極和右下直接敷銅基板的門極分別通過橋連接，且分別通過引線引出。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶門極電阻布局的功率MOSFET模塊，其特征在于直接敷銅基板的邊側(cè)區(qū)域為門極，功率MOSFET芯片的門極通過一個門極電阻和直接敷銅基板的門極區(qū)域連接在一起，再通過引線引出。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶門極電阻布局的功率MOSFET模塊，其特征在于直接敷銅基板的中間區(qū)域是漏極，直接敷銅基板通過釬焊和功率MOSFET芯片連接在一起，左上、左下兩塊直接敷銅基板的漏極分別通過橋與右上、右下兩塊直接敷銅基板的源極連在一起，共同組成模塊的輸出，通過功率端子引出。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶門極電阻布局的功率MOSFET模塊，其特征在于直接敷銅基板的中間區(qū)域是漏極，直接敷銅基板通過釬焊和功率MOSFET芯片連接在一起，左上和左下兩塊直接敷銅基板源極共同組成模塊的負(fù)極輸入，通過功率端子引出。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶門極電阻布局的功率MOSFET模塊，其特征在于直接敷銅基板的中間區(qū)域是漏極，直接敷銅基板和功率MOSFET芯片連接在一起，右上和右下直接敷銅基板的中間區(qū)域作為模塊的正極輸入，通過功率端子引出去。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶門極電阻布局的功率MOSFET模塊，其特征在于直接敷銅基板上還設(shè)有信號引線。
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