[發(fā)明專利]電抽運(yùn)硅基MgxZn1-xO薄膜紫外隨機(jī)激光器及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910097137.2
• 申請日: 2009-03-23
• 公開（公告）號: CN101510664A
• 公開（公告）日: 2009-08-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馬向陽;陳培良;田野;楊德仁
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江大學(xué)
• 主分類號: H01S3/14
• 分類號: H01S3/14;H01S3/16;H01S3/09;H01S3/02;H01S3/038;C23C28/00;C23C14/35;C23C14/08;C23C20/08;C23C14/24;C23C14/06;C23C14/18
• 代理公司: 杭州求是專利事務(wù)所有限公司
• 代理人: 韓介梅

1.電抽運(yùn)硅基Mg_xZn_1-xO薄膜紫外隨機(jī)激光器，其特征是在硅襯底(1)的正面自下而上依次沉積有Mg_xZn_1-xO，0<x≤0.35薄膜(2)、介質(zhì)薄膜(3)和電極(4)，在硅襯底背面沉積有歐姆接觸電極(5)，其中，介質(zhì)為氧化硅、氧化鋁或氮化硅。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電抽運(yùn)硅基Mg_xZn_1-xO薄膜紫外隨機(jī)激光器，其特征是電極(4)為半透明Au電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電抽運(yùn)硅基Mg_xZn_1-xO薄膜紫外隨機(jī)激光器的制備方法，其特征是包括以下步驟：

1)將電阻率為0.005-50歐姆·厘米的n型硅片清洗后，用直流反應(yīng)磁控濺射法或溶膠-凝膠法在硅片上沉積Mg_xZn_1-xO薄膜，0<x≤0.35。

2)利用蒸發(fā)法或射頻磁控濺射法在Mg_xZn_1-xO薄膜上沉積介質(zhì)薄膜，介質(zhì)為氧化硅、氧化鋁或氮化硅；

3)在介質(zhì)薄膜上濺射半透明金電極，在n型硅襯底背面濺射歐姆接觸電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電抽運(yùn)硅基Mg_xZn_1-xO薄膜紫外隨機(jī)激光器的制備方法，其特征是上述步驟1)中所說的直流反應(yīng)磁控濺射法，是以Mg_xZn_1-x為靶材，0<x≤0.35，工作條件：沉積溫度為200-500℃、濺射功率為80-120W、O₂和Ar的流量比為1:3-1:1、工作壓強(qiáng)為5-20Pa。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電抽運(yùn)硅基Mg_xZn_1-xO薄膜紫外隨機(jī)激光器的制備方法，其特征是上述步驟1)中所說的溶膠—凝膠法，按化學(xué)式Mg_xZn_1-x，0<x≤0.35，將醋酸鋅和醋酸鎂溶于乙二醇甲醚溶液中，溶液中Zn和Mg的濃度之和為1.2M，并加入乙醇胺作為穩(wěn)定劑，攪拌得到Mg_xZn_1-xO前驅(qū)體溶液，在硅襯底上旋涂前驅(qū)體溶液，烘干后在800℃于氧氣下熱處理2小時。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電抽運(yùn)硅基Mg_xZn_1-xO薄膜紫外隨機(jī)激光器的制備方法，其特征是上述步驟2)中所說的射頻磁控濺射法，是以氧化硅、氧化鋁或氮化硅陶瓷為靶材，工作條件：襯底溫度200-500℃、濺射功率80-120W、通以氬氣、工作壓強(qiáng)為5-20Pa。