[發明專利]一種具有納米棒陣列光耦合元的疊層太陽電池無效
| 申請號: | 200910094708.7 | 申請日: | 2009-07-09 |
| 公開(公告)號: | CN101692464A | 公開(公告)日: | 2010-04-07 |
| 發明(設計)人: | 楊培志;劉黎明;郝瑞亭;楊雯;莫鏡輝;鄧書康 | 申請(專利權)人: | 云南師范大學 |
| 主分類號: | H01L31/042 | 分類號: | H01L31/042;H01L31/0232 |
| 代理公司: | 昆明今威專利代理有限公司 53115 | 代理人: | 楊宏珍 |
| 地址: | 650092 云南*** | 國省代碼: | 云南;53 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 納米 陣列 耦合 太陽電池 | ||
【權利要求書】:
1.一種具有納米棒陣列光耦合元的疊層太陽電池,其特征在于采用垂直的ZnO或TiO2或SiO2納米棒陣列作為光耦合元的疊層太陽電池由上、中、下三個電池構成;其中:下電池是帶隙為1.1eV的Si電池,上電池和中電池為Si量子點電池,上、下兩個Si量子點太陽電池的帶隙選擇分別為2eV和1.5eV,對應的Si量子點的尺寸分別為20和65nm。
2.如權利要求1所述的具有納米棒陣列光耦合元的疊層太陽電池,其特征在于量子點采用以SiO2、Si3N4和SiC為基質的Si、Ge或Sn量子點。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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