[發明專利]一種太陽電池用硅量子點的低溫生長方法

無效

• 申請號: 200910094696.8
• 申請日: 2009-07-08
• 公開（公告）號: CN101626048A
• 公開（公告）日: 2010-01-13
• 發明（設計）人: 楊培志;劉黎明;郝瑞亭;楊雯;莫鏡輝;鄧書康
• 申請（專利權）人: 云南師范大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 昆明今威專利代理有限公司
• 代理人: 楊宏珍

1.一種太陽電池用硅量子點的低溫生長方法，其特征在于本方法為：采用等離子體增強化學氣相沉積技術在＜450℃溫度下，在襯底材料上交替生長2-6納米厚的化學計量比的硅化合物介質層和富Si的硅化合物層；然后利用快速光熱退火技術在≤550℃的溫度下后退火處理，使富Si的硅化合物層中富余的Si發生擴散遷移，固相晶化，形成Si量子點；形成的Si量子點為層狀排布；其尺寸由富Si的硅化合物層的厚度控制，量子點的密度由富Si的SiN_x層中的Si含量決定。

2.如權利要求1所述的太陽電池用硅量子點的低溫生長方法，其特征在于等離子體化學氣相沉積技術為射頻等離子體或者電子回旋共振等離子體或者微波等離子體或者甚高頻等離子體增強化學氣相沉積技術。

3.如權利要求1所述的太陽電池用硅量子點的低溫生長方法，其特征在于硅化合物介質層包括SiO₂、Si₃N₄和SiC，富Si的硅化合物層包括SiO_x、SiN_x和Si_1-xC_x。

4.如權利要求1所述的太陽電池用硅量子點的低溫生長方法，其特征在于快速光熱退火技術是指將材料放在退火爐中，利用鹵鎢燈或電熱絲加熱方式對樣品進行快速加熱，達到設定溫度后保溫一定時間，保溫時間根據量子點尺寸和形狀確定；然后用隨爐自然冷卻的方式降溫。

5.如權利要求1所述的太陽電池用硅量子點的低溫生長方法，Si量子點材料的生長襯底選擇硅片、石英片、玻璃片、不銹鋼片或者耐高溫的聚合物襯底。