[發明專利]一種納米金屬硫化物復合半導體光催化材料的制備方法無效
| 申請號： | 200910093517.9 | 申請日： | 2009-10-12 |
| 公開（公告）號： | CN101664686A | 公開（公告）日： | 2010-03-10 |
| 發明（設計）人： | 張法智;魯瑞娟;徐新;徐賽龍;段雪 | 申請（專利權）人： | 北京化工大學 |
| 主分類號： | B01J27/04 | 分類號： | B01J27/04;B01J37/20;B01J35/02;A62D3/10;A62D101/28 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 納米 金屬 硫化物 復合 半導體 光催化 材料 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種納米金屬硫化物復合半導體光催化材料的制備方法，其特征在于：制備步驟為：
a配置可溶性二價金屬硝酸鹽、三價金屬硝酸鹽、以及磺酸鹽的混合溶液，其中二價、三價金屬陽離子摩爾比為M2+/M3+＝2～4，配制濃度為0.5～4.0mol/L的NaOH或KOH堿溶液；所述的二價金屬陽離子為Zn2+或Cd2+，三價金屬陽離子Al3+；
b將步驟a配制的堿溶液滴加到步驟a配制的混合鹽溶液中，至pH為6～10，在室溫條件下晶化2～24h，產物用去CO2水充分洗滌、離心，真空室溫干燥，得到磺酸鹽插層的LDHs；
c將步驟b制得的磺酸鹽插層的LDHs置于反應裝置中，在60℃～150℃下，通入H2S氣體10～200min，產物在N2氣氛中保留1～12h，得到納米金屬硫化物復合半導體材料。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述的磺酸鹽為烷基磺酸鹽、芳基磺酸鹽、烷基芳基磺酸鹽、環烷基磺酸鹽或烷基環烷基磺酸鹽。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：H2S氣體的流速為10～100ml/min。?
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