[發(fā)明專利]抗NMOS器件總劑量輻照的新型集成電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910093415.7
• 申請(qǐng)日: 2009-09-30
• 公開（公告）號(hào): CN101667578A
• 公開（公告）日: 2010-03-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉文;黃如
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L27/088
• 分類號(hào): H01L27/088;H01L23/552;H01L21/8234;H01L21/76;H01L21/762;H01L21/764
• 代理公司: 北京君尚知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙）
• 代理人: 俞達(dá)成

1.一種具有NMOS器件抗總劑量輻照的集成電路，所述集成電路包括NMOS器件，也可包括PMOS器件，所述器件之間通過襯底上的溝槽隔離，其特征在于，在和所述NMOS器件相鄰的溝槽中，溝槽填充材料和其一側(cè)的襯底材料之間存在一空氣界面層。

2.如權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述溝槽填充材料和其另一側(cè)的襯底材料之間也存在一空氣界面層。

3.如權(quán)利要求1或2所述的集成電路，其特征在于，所述空氣界面層通過刻蝕所述溝槽填充材料和所述襯底材料之間的接觸部分形成。

4.如權(quán)利要求1或2所述的集成電路，其特征在于，所述空氣界面層的厚度在10到20納米的范圍內(nèi)。

5.如權(quán)利要求1或2所述的集成電路，其特征在于，所述溝槽填充材料是二氧化硅。

6.如權(quán)利要求1或2所述的集成電路，其特征在于，所述襯底材料是硅。