[發明專利]陣列3環2值位相環勻光器及其制作方法

無效

• 申請號: 200910093295.0
• 申請日: 2009-09-16
• 公開（公告）號: CN102023391A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發明（設計）人: 賈佳;謝長青;劉明
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G02B27/09
• 分類號: G02B27/09;G02B5/18;G02B27/42;G03F7/20;G03F7/36
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種陣列3環2值位相環勻光器，其特征在于，該3環2值位相環勻光器是一種在透明介質上制造的3環2值位相環的陣列，陣列的大小由實際需要給出，陣列的大小選擇要能夠使得入射的光束完全被陣列所容納，3環2值位相環是陣列的基本單元。

2.根據權利要求1所述的陣列3環2值位相環勻光器，其特征在于，該3環2值位相環是一個3環結構的位相片，外環的實際半徑由實際需要給出，內1環半徑為外環半徑的0.36倍，內2環半徑為外環的0.09倍。

3.根據權利要求1所述的陣列3環2值位相環勻光器，其特征在于，在該3環2值位相環中，內環園和外園環的位相為0.9π，中間環位相為0，其余的部分不透光。

4.一種制作陣列3環2值位相環勻光器的方法，其特征在于，該方法利用大規模集成電路工藝技術和平面光刻工藝技術實現，包括：

利用電子束直寫法制作出母版；

通過接觸式光刻法將母版圖案轉移到涂有光刻膠的光學玻璃上；

利用感應耦合等離子刻蝕技術，將移到光學玻璃光刻膠上的圖案刻蝕到光學玻璃中。

5.根據權利要求4所述的制作陣列2環位相環勻光器的方法，其特征在于，所述通過接觸式光刻法將母版圖案轉移到涂有光刻膠的光學玻璃上的步驟中，所述接觸曝光的復制誤差小于0.5μm，所采用的光刻膠為Shipley?s1818，厚度為1.8μm。

6.根據權利要求4所述的制作陣列3環2值位相環勻光器的方法，其特征在于，所述將移到光學玻璃光刻膠上的圖案刻蝕到光學玻璃中的步驟中，所采用的刻蝕氣體為三氟甲烷CHF₃，流量為30SCCM，RF功率為500W，偏置功率為200W，對石英基底的刻蝕速率為0.077μm/min。