[發明專利]陣列全環光子篩勻光器及其制作方法

無效

• 申請號: 200910093276.8
• 申請日: 2009-09-16
• 公開（公告）號: CN102023386A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發明（設計）人: 賈佳;謝長青;劉明
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G02B27/09
• 分類號: G02B27/09;G02B5/18;G02B27/42;G03F7/20;G03F7/36
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種陣列全環光子篩勻光器，其特征在于，該陣列全環光子篩勻光器是在透明介質上制造的全環光子篩陣列，采用全環光子篩作為基本單元，該全環光子篩是一個在透明基片上制造的基于菲涅爾波帶片的多個圓孔，先在透明介質上制造衍射孔徑為相應菲涅耳圓環的一倍光子篩，然后在其余的菲涅耳環帶處仍然刻蝕圓孔，圓孔的數量和位置的決定規律與光子篩圓環相同，只是從原來的偶數環增加到奇數環，或者從原來的奇數環增加到偶數環，這樣在波帶片的奇數和偶數環帶都有透光的刻蝕圓孔，分別是奇數環的透光孔和偶數環的刻蝕位相透光孔，其中刻蝕位相透光孔的位相是π，每個刻蝕圓孔的大小與相應的環帶寬度相同，該刻蝕圓孔與原來的衍射孔構成全環光子篩。

2.根據權利要求1所述的陣列全環光子篩勻光器，其特征在于，全環光子篩在奇數環的透光孔和偶數環的刻蝕位相透光孔透光，其余部分不透光，不透光的地方鍍上鉻膜。

3.一種制作陣列全環光子篩勻光器的方法，其特征在于，該方法利用大規模集成電路工藝技術和平面光刻工藝技術實現，包括：

利用電子束直寫法制作出母版；

通過接觸式光刻法將母版圖案轉移到涂有光刻膠的光學玻璃上；

利用感應耦合等離子刻蝕技術，將移到光學玻璃光刻膠上的圖案刻蝕到光學玻璃中。

4.根據權利要求3所述的制作陣列全環光子篩勻光器的方法，其特征在于，所述通過接觸式光刻法將母版圖案轉移到涂有光刻膠的光學玻璃上的步驟中，所述接觸曝光的復制誤差小于0.5μm，所采用的光刻膠為Shipley?s1818，厚度為1.8μm。

5.根據權利要求4所述的制作全環光子篩的方法，其特征在于，所述將移到光學玻璃光刻膠上的圖案刻蝕到光學玻璃中的步驟中，所采用的刻蝕氣體為三氟甲烷CHF₃，流量為30SCCM，RF功率為500W，偏置功率為200W，對石英基底的刻蝕速率為0.077μm/min。