[發(fā)明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910093250.3
• 申請日: 2009-09-23
• 公開（公告）號: CN102023428A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發(fā)明（設計）人: 代伍坤;樸云峰;彭志龍;王威
• 申請（專利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/84;H01L21/28
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術(shù)領域

本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)，尤其涉及一種TFT-LCD(薄膜晶體管-液晶顯示器)陣列基板及其制造方法。

背景技術(shù)

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display，TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射、制造成本相對較低等特點，在當前的平板顯示器市場占據(jù)了主導地位。

圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中TFT-LCD陣列基板的一種實現(xiàn)方式。在TFT-LCD陣列基板上形成有多個平行的柵線1以及與所述柵線1垂直排布且相互絕緣的多個數(shù)據(jù)線2，由所述柵線1和數(shù)據(jù)線2圍成的區(qū)域即為像素區(qū)域，柵線1和數(shù)據(jù)線2的交叉部分形成有作為開關器件的薄膜晶體管3(TFT)，薄膜晶體管3與設置在像素區(qū)域的像素電極4相連。陣列基板上還形成有公共電極線5，在像素電極4與公共電極線5之間形成存儲電容Cst，因此圖1所示的TFT-LCD陣列基板所采用的像素結(jié)構(gòu)又稱為存儲電容在公共電極線上(Cst?On?Common)的像素結(jié)構(gòu)。

具體地，從圖2中所示的TFT-LCD陣列基板剖面圖可以看到，在玻璃基板6上面依次形成有平行鋪設的公共電極線5、絕緣層7以及像素電極4；其中，像素電極4和公共電極線5就是存儲電容兩端的極板，絕緣層7就是存儲電容中間的絕緣電介質(zhì)，該絕緣層7可以選用但不局限于氮化硅(SiNx)材料。

一般情況下，除了圖1和圖2所示的存儲電容形成在公共電極線上(Cst?OnCommon)之外，存儲電容Cst還可以形成在柵線上(Cst?On?Gate)；或者，存儲電容Cst的實現(xiàn)方式是上述兩種實現(xiàn)方式的組合。

由于TFT-LCD中薄膜晶體管3的關態(tài)電流和顯示模式都是與存儲電容Cst的大小直接相關的，因此存儲電容Cst也是TFT-LCD性能的一個重要參數(shù)。一般情況下，

Cst=ϵS4πkd,]]>

在這里，ε為介電常數(shù)，k為靜電力常量，S為存儲電容兩個電極之間的有效正對面積，d為兩個電極之間的距離。

以存儲電容形成在公共電極線上為例，在現(xiàn)有技術(shù)中，往往通過增大像素區(qū)域內(nèi)公共電極線5的線寬來增大公共電極線5與像素電極4之間的正對面積S，從而提高存儲電容Cst；然而，這種做法必然會降低液晶顯示裝置的開口率，影響到液晶顯示裝置的顯示效果。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實施例提供一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法，能夠在不降低開口率的情況下提高存儲電容。

為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案：

一種TFT-LCD陣列基板，包括玻璃基板以及形成在該玻璃基板上的像素電極、存儲電容底電極，在所述像素電極和存儲電容底電極之間形成有存儲電容；其中，在所述存儲電容底電極的表面以及與該存儲電容底電極正對的像素電極區(qū)域形成有對應的凹凸結(jié)構(gòu)。

一種TFT-LCD陣列基板制造方法，包括：

在基板上形成存儲電容底電極和像素電極，使所述存儲電容底電極和所述像素電極相對的區(qū)域呈對應的凹凸結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明實施例提供的TFT-LCD陣列基板及其制造方法，通過在存儲電容底電極的表面以及與該存儲電容底電極正對的像素電極區(qū)域形成對應的凹凸結(jié)構(gòu)，來增大存儲電容底電極與像素電極之間正對面積，從而實現(xiàn)在不影響液晶顯示裝置開口率的條件下提高存儲電容Cst的大小。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為TFT-LCD陣列基板的示意圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的TFT-LCD陣列基板沿圖1中的A-A線的剖視圖；

圖3為本發(fā)明實施例中的TFT-LCD陣列基板沿圖1中的A-A線的剖視圖；

圖4為本發(fā)明實施例中的公共電極線表面的凹凸結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例中的TFT-LCD陣列基板的局部示意圖；

圖6為本發(fā)明實施例中的TFT-LCD陣列基板制造方法的流程圖；