[發(fā)明專利]脊型光波導(dǎo)和倒錐耦合器集成的制作方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910093176.5 | 申請日： | 2009-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN102033264A | 公開（公告）日： | 2011-04-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳少武;程勇鵬;任光輝 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學院半導(dǎo)體研究所 |
| 主分類號： | G02B6/13 | 分類號： | G02B6/13;G02B6/138 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 脊型光 波導(dǎo) 耦合器 集成 制作方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種脊型光波導(dǎo)和倒錐耦合器集成的制作方法，包括如下步驟：
步驟1：在襯底上旋涂一層光刻膠，利用光刻技術(shù)形成第一掩膜圖形，該第一掩膜圖形表面的一側(cè)為矩形另一側(cè)為錐形；
步驟2：利用刻蝕技術(shù)將掩膜圖形長方向兩側(cè)的襯底刻蝕掉，刻蝕深度小于襯底的厚度，在掩膜圖形兩側(cè)形成平板區(qū)；
步驟3：在襯底上再旋涂一層光刻膠，利用光刻技術(shù)在掩膜圖形的矩形區(qū)及其兩側(cè)的平板區(qū)形成第二掩膜圖形；
步驟4：利用刻蝕技術(shù)將掩膜圖形的錐形部分的兩側(cè)平板區(qū)刻蝕掉；
步驟5：去掉第一及第二掩膜圖形，完成器件的制作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的脊型光波導(dǎo)和倒錐耦合器集成的制作方法，其中所述的襯底為硅或砷化鎵半導(dǎo)體材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的脊型光波導(dǎo)和倒錐耦合器集成的制作方法，其中掩膜圖形為光刻膠掩膜或二氧化硅掩膜。
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