[發(fā)明專利]斜腔面二維光子晶體分布反饋量子級(jí)聯(lián)激光器及制備方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910092876.2
• 申請(qǐng)日: 2009-09-09
• 公開（公告）號(hào): CN102025110A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陸全勇;張偉;王利軍;劉俊岐;李路;劉峰奇;王占國
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
• 主分類號(hào): H01S5/34
• 分類號(hào): H01S5/34;H01S5/343;H01S5/223;H01S5/065;H01S5/028;H01S5/024
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 湯保平

1.一種斜腔面二維光子晶體分布反饋量子級(jí)聯(lián)激光器，包括：

一InP襯底；

一InP波導(dǎo)限制層，該InP波導(dǎo)限制層制作在InP襯底上；

一InGaAs下波導(dǎo)層，該InGaAs下波導(dǎo)層制作在InP波導(dǎo)限制層上；

一應(yīng)變補(bǔ)償有源層，該應(yīng)變補(bǔ)償有源層制作在InGaAs下波導(dǎo)層上；

一InGaAs上波導(dǎo)層，該InGaAs上波導(dǎo)層制作在應(yīng)變補(bǔ)償有源層上；

一二維長方光子晶體點(diǎn)陣圖形由干法刻蝕于InGaAs上波導(dǎo)層中，點(diǎn)陣周期方向與外延片解理邊呈15°角度；

一InP蓋層，該InP蓋層制作在內(nèi)含二維長方光子晶體點(diǎn)陣圖形的InGaAs上波導(dǎo)層上；

一InP接觸層，該InP接觸層制作在蓋層上，形成二次外延片；

在該二次外延片的表面向下刻蝕有V形雙溝道，形成斜形脊?fàn)畈▽?dǎo)，該V形雙溝道的深度到達(dá)InP波導(dǎo)限制層內(nèi)；

一二氧化硅層，該二氧化硅層制作在V形雙溝道及接觸層的表面，接觸層表面的二氧化硅層的中間開有一電流注入窗口；

一正面電極，該正面電極制作在刻蝕后的二次外延片的表面；

一金屬金層，該金屬金層制作在正面電極上，且填滿兩個(gè)V形雙溝道；

一合金電極，該合金電極制作在InP襯底的背面。

2.按權(quán)利要求1所述的斜腔面二維光子晶體分布反饋量子級(jí)聯(lián)激光器，其中InP波導(dǎo)限制層的摻雜濃度為2-6×10¹⁶cm^-3，厚度為0.8-1.3μm。

3.按權(quán)利要求1所述的斜腔面二維光子晶體分布反饋量子級(jí)聯(lián)激光器，其中應(yīng)變補(bǔ)償有源層是為多層銦鎵砷和銦鋁砷周期結(jié)構(gòu)，其總厚度為1.57μm。

4.按權(quán)利要求1所述的斜腔面二維光子晶體分布反饋量子級(jí)聯(lián)激光器，其中InGaAs上波導(dǎo)層，其摻雜濃度為3-6×10¹⁶cm^-3，厚度為200-400nm。

5.按權(quán)利要求1所述的斜腔面二維光子晶體分布反饋量子級(jí)聯(lián)激光器，其中InP蓋層和InP接觸層的摻雜濃度分別為3-6×10¹⁶cm^-3和2-9×10¹⁸cm^-3，厚度分別為2.0-2.5μm和0.5-1μm。

6.按權(quán)利要求1所述的斜腔面二維光子晶體分布反饋量子級(jí)聯(lián)激光器，其中金屬金層的厚度為5-7μm，起到散熱作用。

7.按權(quán)利要求1所述的斜腔面二維光子晶體分布反饋量子級(jí)聯(lián)激光器，其中刻蝕出的斜形脊?fàn)畈▽?dǎo)寬度為50-100μm。