[發明專利]一種氮化硅薄膜的生成裝置及方法

有效

• 申請號: 200910092851.2
• 申請日: 2009-09-09
• 公開（公告）號: CN102021531A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發明（設計）人: 徐威;黃辛庭;秦正健
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: C23C16/34
• 分類號: C23C16/34;C23C16/455
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

1.一種氮化硅薄膜的生成裝置，包括：用于通入二氯二氫硅DCS氣體的第一管路、用于通入氨氣NH₃的第二管路和低壓化學氣相沉積LPCVD反應腔；所述第一管路外表面包裹有加熱帶，所述第一管路和第二管路分別與所述LPCVD反應腔相連，其特征在于，還包括：第三管路，所述第三管路與所述第一管路連通，用于在停止向所述LPCVD反應腔中通入DCS氣體后，向所述第一管路中通入能夠將所述第一管路中殘留的DCS氣體排出至所述LPCVD反應腔的第一氣體。

2.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一管路上設置有第一電子閥、第二電子閥和DCS流量控制器；所述DCS流量控制器設置于所述第一電子閥和第二電子閥之間；

所述第一電子閥用于控制DCS氣體通入第一管路；所述DCS流量控制器用于調節所述DCS氣體的流量；所述第二電子閥用于控制調節流量后的DCS氣體輸入至所述LPCVD反應腔；

所述第三管路與所述第一管路之間的連通口位于所述第一電子閥與所述DCS流量控制器之間。

3.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第三管路上設置有第三電子閥，用于控制所述第一氣體通入所述第三管路。

4.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第二管路上設置有第四電子閥、第五電子閥和NH₃流量控制器；所述NH₃流量控制器設置于所述第四電子閥和第五電子閥之間；

所述第四電子閥用于控制NH₃氣體通入第二管路；所述NH₃流量控制器用于調節所述NH₃的流量；所述第五電子閥用于控制調節流量后的NH₃輸入至所述LPCVD反應腔。

5.一種生成氮化硅薄膜的方法，分別通過第一管路和第二管路向低壓化學氣相沉積LPCVD反應腔中通入二氯二氫硅DCS氣體和氨氣NH₃，所述DCS氣體和NH₃發生化學反應生成氮化硅薄膜，其特征在于，在停止向所述LPCVD反應腔中通入DCS氣體后，還包括：

通過與所述第一管路連通的第三管路，向所述第一管路中通入能夠將所述第一管路中殘留的DCS氣體排出至所述LPCVD反應腔的第一氣體；

被排出的DCS氣體與所述NH₃繼續反應生成氮化硅薄膜。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，通過第一管路向LPCVD反應腔中通入DCS氣體，包括：

通過所述第一管路上的第一電子閥向第一管路中通入DCS氣體，經第一管路上的DCS流量控制器調節所述DCS氣體的流量后，通過第二電子閥將調節流量后的DCS氣體輸入至所述LPCVD反應腔。

7.如權利要求5所述的方法，其特征在于，通過第二管路向LPCVD反應腔中通入NH₃，包括：

通過第二管路上的第四電子閥向第二管路中通入NH₃，經第二管路上的NH₃流量控制器調節所述NH₃的流量后，通過第五電子閥將調節流量后的NH₃輸入至所述LPCVD反應腔。

8.如權利要求6所述的方法，其特征在于，在停止向所述LPCVD反應腔中通入DCS氣體后，通過與所述第一管路連通的第三管路，向第一管路中通入所述第一氣體，包括：

關閉所述第一管路上的第一電子閥，開啟所述第一管路上的第二電子閥以及第三管路上的第三電子閥，將所述第一氣體經過所述第三管路和所述第一管路之間的連通口通入到第一管路中。

9.如權利要求5-8中任一權利要求所述的方法，其特征在于，所述第一氣體包括：氮氣、惰性氣體或者其他與所述DCS或NH₃不發生化學反應的氣體。